Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"G. Ilicali"'
Autor:
G. Ilicali, Walter Hansch, Walter M. Weber, Johannes Kretz, L. Dreeskornfeld, W. Rosner, L. Risch
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :206-211
Double-gate transistors are promising successors to conventional bulk MOSFETs, since their gate arrangement limits short channel effects yielding better device performance, even at nanometer size gate lengths. An electron beam lithography process for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b27fd9a19c837e1474ab83c90826cdc1
https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.12.028
https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.12.028
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :479-483
For the fabrication of future MOSFET device demonstrators with electron beam lithography negative resists with target resolutions smaller than 20nm are needed. Calixarenes and hydrogen-silesquioxane are commonly used resists at present for this criti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c222dde38a765c4cd9932cd3d8d42c0
https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.12.061
https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.12.061
Autor:
Matthias Goldbach, B. Uhlig, Erhard Landgraf, G. Ilicali, M. Stadele, Jorg Radecker, J. Lindolf, S. Finsterbusch
Publikováno v:
2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
Based on a detailed I-V analysis, 2D/3D process/device simulation, and inline wafer bow measurements, we have investigated a number of stress-induced layout effects on MOSFET performance caused by hybrid STI fills (HARP/HDP and SOG/HDP). Variations o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::14f62e74d1db92ae961d09b1d08f512c
https://doi.org/10.1109/vtsa.2008.4530831
https://doi.org/10.1109/vtsa.2008.4530831
Autor:
J. Hartwich, M. Stadele, J.R. Luyken, Walter M. Weber, Erhard Landgraf, R. Kasmaier, Tarek Lutz, L. Risch, Walter Hansch, Michael Specht, Johannes Kretz, F. Hofmann, L. Dreeskornfeld, J.-P. Mazellier, G. Ilicali, W. Rosner
Publikováno v:
2005 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Planar double-gate field effect transistors with asymmetric (p++/n++) independent gates down to 55nm physical gate lengths are successfully fabricated. A fabrication concept, epi-before-bonding, is introduced and demonstrated to be highly successful
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ea4bfb46cea47fe7c0f9b2f37bf5f5a
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563562
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563562
Autor:
F. Hofmann, Walter M. Weber, W. Rosner, L. Risch, Walter Hansch, S. Boz, Johannes Kretz, G. Ilicali, L. Dreeskornfeld, J. Hartwich, Erhard Landgraf, J.R. Luyken
Publikováno v:
2004 IEEE International SOI Conference (IEEE Cat. No.04CH37573).
In this work, LPCVD deposited TEOS, both densified (DT)/undensified (UDT) and structured/non-structured cases are systematically studied and optimized. We have investigated different oxide type bonding materials for layer transfer applications under
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b9c06e1591b82b74bc9d6d92b113dea
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391548
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391548
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.