Zobrazeno 1 - 10
of 103
pro vyhledávání: '"G. Hochleitner"'
Autor:
A. Fuchs, A. Youssef, A. Seher, G. Hochleitner, P. D. Dalton, S. Hartmann, R. C. Brands, U. D. A. Müller-Richter, C. Linz
Publikováno v:
BMC Oral Health, Vol 19, Iss 1, Pp 1-11 (2019)
Abstract Background The spectrum of indications for the use of membranes and scaffolds in the field of oral and maxillofacial surgery includes, amongst others, guided bone regeneration (GBR). Currently available membrane systems face certain disadvan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b277c759ae754c189f41469c51347765
Autor:
Bassam Shamoun, Zachary Alberti, Igal Bucay, S. Ellis, Michael Erickson, B. Liu, Mahesh Chandramouli, Andrew T. Sowers, Frank E. Abboud, G. Hochleitner, M. Tomandl, C. Klein, E. Platzgummer
Publikováno v:
Novel Patterning Technologies 2023.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 28:1413-1420
A novel method for cleaning a high vacuum chamber is presented. This method is based on concurrent in situ high-energetic UV light activation of contaminants located in the residual gas and at the vacuum chamber surfaces as well as the in situ genera
Publikováno v:
e & i Elektrotechnik und Informationstechnik. 127:171-175
In this work we report on the formation, of copper-germanide/germanium nanowire (NW) heterostructures with atomically sharp interfaces. The copper-germanide (Cu3Ge) formation process is enabled by a chemical reaction between metallic Cu pads and vapo
Publikováno v:
British Journal of Anaesthesia. 116:554-555
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology. 22(23)
Recently focused-electron-beam-induced etching of silicon using molecular chlorine (Cl(2)-FEBIE) has been developed as a reliable and reproducible process capable of damage-free, maskless and resistless removal of silicon. As any electron-beam-induce
Publikováno v:
Nanotechnology. 21(43)
Ge nanowires (NWs) about 2 µm long and 35 nm in diameter are grown heteroepitaxially on Si(111) substrates in a hot wall low-pressure chemical vapor deposition (LP-CVD) system using Au as a catalyst and GeH(4) as precursor. Individual NWs are contac