Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"G. Fisicaro"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I. Deretzis, P. Fiorenza, T. Fazio, E. Schilirò, R. Lo Nigro, G. Greco, G. Fisicaro, F. Roccaforte, A. La Magna
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 132:165105
[Formula: see text]/AlGaN metal-oxide-semiconductor capacitors show a hysteretic behavior in their capacitance vs voltage characteristics, often attributed to near-interface traps deriving from defects within the oxide layer. The origin as well as th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5e1d697d56fe25c9d47b2a330dd5d68c
https://doi.org/10.1063/5.0112976
https://doi.org/10.1063/5.0112976
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Salvatore Sanzaro, C. Spinella, G. Fisicaro, Antonino La Magna, Ioannis Deretzis, Emanuele Smecca, Corrado Bongiorno, Youhei Numata, Zhanglin Guo, Giovanni Mannino, Tsutomu Miyasaka, Ajay Kumar Jena, Alessandra Alberti, Salvatore Valastro
Publikováno v:
Advanced Energy & Sustainability Research, Vol 2, Iss 7, Pp n/a-n/a (2021)
Herein, the convenient interplay between Eu incorporation and morphology to form the perovskite (PSK) γ‐phase of CsPbI3 at 80 °C (low temperature [LT] γ‐phase) is unveiled. In contrast, CsPbI3 without Eu exists in a mixture of γ‐phase and n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1527758a2760b330f95889b9327c45d1
https://doaj.org/article/a2f22126c4a94ced99dc188beeccf7c2
https://doaj.org/article/a2f22126c4a94ced99dc188beeccf7c2
Autor:
Michele Cascio, Giovanni Mannino, Antonino La Magna, Ioannis Deretzis, Giuseppe Falci, G. Fisicaro
Publikováno v:
11th Italian Quantum Information Science conference (IQIS2018).
Defects, e.g., Vacancies (Vs) and Defect-impurity centers, e.g., Nitrogen-Vacancy complexes (NVs), in group IV materials (diamond, SiC, graphene) are unique systems for Quantum Technologies (QT). The control of their positioning is a key issue for an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9031f70c50d8a42a000205f71f23c384
https://doi.org/10.3390/proceedings2019012032
https://doi.org/10.3390/proceedings2019012032
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.