Zobrazeno 1 - 10
of 174
pro vyhledávání: '"G. DeClerck"'
Publikováno v:
IRBM. 30:252-257
Resume Cet article propose une reflexion critique ainsi qu’une serie d’hypotheses pour expliquer l’echec, aussi bien social que commercial, des dispositifs dits de substitution sensorielle aupres de la population des non-voyants, a laquelle ils
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3766139caed8c062dc1cefe9897daf1
https://doi.org/10.1016/j.irbm.2009.10.007
https://doi.org/10.1016/j.irbm.2009.10.007
Autor:
S. R. McCouch, S. Temnykh, A. Lukashova, J. Coburn, G. DeClerck, S. Cartinhour, S. Harrington, M. Thomson, E. Septiningsih, M. Semon, P. Moncada, Jiming Li
Publikováno v:
Rice Genetics Collection ISBN: 9789812818683
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8abf967074aac408f0195bc14654b03e
https://doi.org/10.1142/9789812814296_0008
https://doi.org/10.1142/9789812814296_0008
Autor:
G. Declerck
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f0168a91ee9a3c5c97034981c6250d6
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609417
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609417
Publikováno v:
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004..
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c00d445880373763e695d15dca25b5d
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419238
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419238
Publikováno v:
1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
A solid-state X-ray sensitive diode array with on-chip serial readout circuitry will be reported. The sensor consists of 128 diodes on a pitch of 400μm. Die size is 50×4mm. Device operates at a 1MHz pixel rate and achieves a sensitivity of 2.3nA/mm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8393d9a386a3f71b87b9412c7929a160
https://doi.org/10.1109/isscc.1987.1157125
https://doi.org/10.1109/isscc.1987.1157125
Publikováno v:
Proceedings of the Workshop on Low Temperature Semiconductor Electronics.
The operation of nMOS-transistors, made in SOI material, is investigated at low temperatures. A new phenomenon, the MCCM (multistable charge controlled memory) effect, is observed. Measurements demonstrating this MCCM effect are presented on nMOS tra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6f2ab6fbd5d706214e5fab6e8d65114
https://doi.org/10.1109/ltse.1989.50198
https://doi.org/10.1109/ltse.1989.50198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.