Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"G. Costrini"'
Autor:
Michael V. Aquilino, Jaeger Daniel, J. Koshy, E. Engbrecht, Edward P. Maciejewski, L. Zhuang, Mahender Kumar, G. Costrini, J. Gill, Paul D. Agnello, Rajeev Malik, Jin Cai, Gregory G. Freeman, S. Lucarini, N. Arnold, Geng Wang, David M. Fried, Matthew W. Stoker, R. Bolam, Dimitris P. Ioannou, Katsunori Onishi, Paul C. Parries, Richard Wise, Alvin G. Thomas, Min Dai, Viorel Ontalus, Jessica Dechene, Shreesh Narasimha, Robert R. Robison, Judson R. Holt, Dechao Guo, Paul Chang, Naftali E. Lustig, Michael P. Chudzik, Basanth Jagannathan, Paul S. McLaughlin, Bernard A. Engel, Xiaolin Li, Amit Kumar, W. Kong, Rishikesh Krishnan, Barry P. Linder, J. Norum, C. DeWan, Claude Ortolland, Karen A. Nummy, Michael A. Gribelyuk, Jae Gon Lee, Christopher D. Sheraw, G. Han, C-H. Lin, Benjamin Cipriany, Takashi Ando, N. Habib, J. Johnson
Publikováno v:
2012 International Electron Devices Meeting.
We present a fully-integrated SOI CMOS 22nm technology for a diverse array of high-performance applications including server microprocessors, memory controllers and ASICs. A pre-doped substrate enables scaling of this third generation of SOI deep-tre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c61f3f0814bd02ce1388effadad931e
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6478971
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6478971
Autor:
P. Agnello, T. Ivers, C. Warm, R. Wise, R. Wachnik, D. Schepis, S. Sankaran, J. Norum, S. Luning, Y. Li, M. Khare, A. Grill, D. Edelstein, X. Chen, D. Brown, R. Augur, S. Wu, J. Yu, R.C. Wong, J. Werking, D. Wehella-Gamage, A. Vayshenker, H. Van Meer, R. Van Den Nieuwenhuizen, C. Tian, K. Tabakman, C.Y. Sung, T. Standaert, A. Simon, J. Sim, C. Sheraw, D. Restaino, W. Rausch, R. Pal, C. Prindle, X. Ouyang, C. Ouyang, V. Ontalus, K. Nummy, D. Nielsen, L. Nicholson, A. McKnight, N. Lustig, X. Liu, M.H. Lee, D. Lea, G. Larosa, W. Landers, B. Kim, M. Kelling, S.-J. Jeng, J. Holt, M. Hargrove, S. Grunow, S. Greco, S. Gates, A. Frye, P. Fisher, A. Domenicucci, C. Dimitrakopoulos, G. Costrini, A. Chou, J. Cheng, S. Butt, L. Black, M. Belyansky, I. Ahsan, T. Adam, A. Gabor, C.-H.J. Wu, D. Yang, M. Crouse, C. Robinson, D. Corliss, C. Fonseca, J. Johnson, M. Weybright, A. Waite, H.M. Nayfeh, K. Onishi, S. Narasimha
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
We present a 45-nm SOI CMOS technology that features: i) aggressive ground-rule (GR) scaling enabled by 1.2NA/193nm immersion lithography, ii) high-performance FET response enabled by the integration of multiple advanced strain and activation techniq
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf10344b83d49f15325667340363c388
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346879
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346879
Autor:
A. Antreasyan, G. Costrini, J. Ferrario, A. Behfar-Rad, A. Strijek, S. Scontras, E. Cahoon, A.J.S. Bates, Peter D. Hoh
Publikováno v:
1992 Proceedings 42nd Electronic Components & Technology Conference.
A number of packaging configurations were explored as possible candidates for use with quad 1300-nm laser arrays operating at aggregate multi-Gb data rates. The packaging arrangements considered were with InP/GaInAsP-based double heterostructure ridg
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d8959683aed2edff1445925393ea221
https://doi.org/10.1109/ectc.1992.204189
https://doi.org/10.1109/ectc.1992.204189
Autor:
Stefan J. Weber, L. Yang, G.Z. Lu, R.F. Schnabel, D. Tobben, Chenting Lin, J. L. Hurd, Sunny Chiang, R. Filippi, J. Ning, Kenneth P. Rodbell, T. Gou, R. Longo, M. Ronay, Roderick C. Mosely, L. Gignac, Mark Hoinkis, R. Ploessl, S. Voss, Clevenger Leigh Anne H, Jeffrey P. Gambino, Lian-Yuh Chen, G. Costrini, D.M. Dobuzinsky, J.F. Nuetzel, R. C. Iggulden
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102).
As VLSI back end of line (BEOL) wiring is scaled to 0.175 /spl mu/m dimensions and sub-0.5 /spl mu/m pitches, the challenges to conventional Al RIE BEOL processes are the etching and the reliability of tall/narrow Al lines and the oxide gap fill and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5df924822bf795c7e3a2be9c96ec3aef
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704772
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704772
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102).
Various dielectric anti-reflection coatings (DARCs) were evaluated using 0.175 /spl mu/m dual-damascene structures to examine the lithography process window and integration capability. Double-DARC layers have been developed with the optimum refractiv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7240a73d10498de3488704b104b97c01
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704759
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704759
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.