Zobrazeno 1 - 10
of 221
pro vyhledávání: '"G. Ciatto"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L. Pithan, Elisabeth Blanquet, Hubert Renevier, Jean-Luc Deschanvres, Evgeniy V. Skopin, G. Ciatto, Marie-Ingrid Richard, Dillon D. Fong, Laetitia Rapenne
Publikováno v:
Physical Review Materials. 4
Autor:
G. Ciatto, Valentina Mattarello, Giovanni Mattei, Chiara Maurizio, Boris Kalinic, Carlo Scian, Niccolò Michieli
In nanostructures made of a mixture of bulk-immiscible metallic species, the alloy formation down to the atomic scale is a crucial and debated point. We report on the first experimental evidence of an amorphous metallic phase in Au-Co thin films and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::46e0cd87c5c8a91d90d5420984b7f191
http://hdl.handle.net/11577/3361337
http://hdl.handle.net/11577/3361337
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Evgeniy V. Skopin, Jean-Luc Deschanvres, Hubert Renevier, Laetitia Rapenne, Hervé Roussel, Marie-Ingrid Richard, Dillon D. Fong, Elisabeth Blanquet, G. Ciatto
Publikováno v:
Nanoscale
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2018, ⟨10.1039/c8nr02440e⟩
Nanoscale, 2018, ⟨10.1039/c8nr02440e⟩
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2018, ⟨10.1039/c8nr02440e⟩
Nanoscale, 2018, ⟨10.1039/c8nr02440e⟩
InGaAs is one of the III-V active semiconductors used in modern high-electron-mobility transistors or high-speed electronics. ZnO is a good candidate material to be inserted as a tunneling insulator layer at the metal-semiconductor junction. A key co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::98fc09c19816c5d817f14672fc6d85ad
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01819188
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01819188