Zobrazeno 1 - 10
of 175
pro vyhledávání: '"G. Braithwaite"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microscopy of Semiconducting Materials 2001 ISBN: 9781351074629
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50a5be7e493ae2f9a9d120defaf9d33b
https://doi.org/10.1201/9781351074629-38
https://doi.org/10.1201/9781351074629-38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mark S. Rodder, K. Matthews, Christopher J. Vineis, C. W. Leitz, M. Carroll, Vicky K. Yang, T. A. Langdo, Rick L. Wise, G. Braithwaite, J.G. Fiorenza, Puneet Kohli, R. Westhoff, Anthony Lochtefeld, John A. Carlin
Publikováno v:
Thin Solid Films. 513:300-306
We discuss a method for fabricating strained Si layers via deposition directly onto planarized relaxed SiGe virtual substrates, a process termed direct regrowth (DRG). We show that a trade-off exists between surface roughness and cleanliness of the S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f67ee7b40081cb0abfa22b4d7822d38c
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.01.063
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.01.063
Autor:
J.G. Fiorenza, C. Leitz, Mayank T. Bulsara, H. Badawi, J. Carlin, Matthew T. Currie, N. Balasubramanian, T. Lochtefeld, G. Braithwaite, Shajan Mathew, L. K. Bera, Richard Hammond, T. A. Langdo, J. Yap, F. Singaporewala
Publikováno v:
Thin Solid Films. :85-89
Effect of strained-Si thickness on electrical properties of furnace grown gate oxide has been investigated. Interface state density ( D it ) versus energy characteristics shows that D it increases with decreasing strained-Si thickness, probably due t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a114750a98e6abd7618f6d2522c4fc1b
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.05.028
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.05.028
Autor:
Isaac Lauer, Z. Y. Cheng, Mark Somerville, Anthony Lochtefeld, Mayank T. Bulsara, T. A. Langdo, Dimitri A. Antoniadis, Christopher J. Vineis, John A. Carlin, G. Braithwaite, C. W. Leitz, M. Erdtmann, J.G. Fiorenza, Matthew T. Currie
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1357-1367
SiGe-free strained Si on insulator (SSOI) is a new material system that combines the carrier transport advantages of strained Si with the reduced capacitance and improved scalability of thin film silicon on insulator (SOI). We demonstrate fabrication
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c54b937051c4947674cf2e37624b456
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.02.013
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.02.013