Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"G. Braeckelmann"'
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :209-213
Cobalt salicide has been the reference salicide for sub −0.25 μm CMOS technology nodes to lower the sheet resistances on source, drain and poly areas. A critical step in the cobalt silicide formation is the Soft Sputter Etch (SSE) before Co deposi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7141a715e8262210998a6a3dc20d7aa
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.07.079
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.07.079
Autor:
Mustapha Rafik, T. Kormann, A. Mondot, D. Barge, A. Zauner, A. Toffoli, A. Tarnowka, Claire Fenouillet-Beranger, C. Laviron, Pascal Gouraud, Thomas Skotnicki, Simone Pokrant, D. Aime, S. Bonnetier, G. Braeckelmann, Frederic Boeuf, G. Bidal, G. Chabanne, Stephane Denorme, M. Muller
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::576622f00ea1ff1f29d1fd86a3979bc6
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.j-8-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2006.j-8-1
Autor:
C. Wyon, D. K. Agnihotri, J. P. Formica, F. Cacho, Y. Tsach, L. F. Tz. Kwakman, J.‐P. Gonchond, G. Rolland, G. Braeckelmann
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
X ray reflectivity (XRR) is shown to be well suited to measure the thickness of NiSi films annealed at different temperatures. The phase transformation during the silicide reaction at different spike annealing temperatures (310°C–450°C) has been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e952200d05c9af4f186ab6192c1c7e6f
https://doi.org/10.1063/1.2062960
https://doi.org/10.1063/1.2062960
Autor:
Dean J. Denning, Ramnath Venkatraman, G. Braeckelmann, Jiming Zhang, E.J. Weitzman, R. Fiordalice
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102).
This paper discusses CVD Cu process development and back-end dual-inlaid integration of CVD Cu on sub-0.25 /spl mu/m device structure. CVD Cu was deposited on a variety of barriers, including CVD TiN, PVD Ta, PVD TaN and a hybrid barrier, using a dir
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec79bf13ae709eaf45aa8787260d15e1
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704780
https://doi.org/10.1109/iitc.1998.704780
Publikováno v:
1998 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (Cat. No.98CH36216).
This report describes the development and integration of a blanket CVD copper film into advanced microprocessor devices. The in situ deposition of sputtered Tantalum based or CVD Titanium based barrier layers and PVD Cu under and overlayers has been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2d873dda4450a9ae74ac1d7e413eebd4
https://doi.org/10.1109/vlsit.1998.689183
https://doi.org/10.1109/vlsit.1998.689183
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407).
This paper discusses the deposition, integration, performance, and reliability of copper-magnesium alloys in interconnect structures for state of the art integrated circuits. A detailed discussion of process-related characteristics will be presented.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f600358453b78720ce753cfd47a7660b
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854335
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854335
Publikováno v:
European Workshop Materials for Advanced Metallization.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::22aaeaf55808e608a5d0baa43e9c2baa
https://doi.org/10.1109/mam.1997.621047
https://doi.org/10.1109/mam.1997.621047
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.