Zobrazeno 1 - 10
of 162
pro vyhledávání: '"G. Berhault"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 146:106668
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8b94ad9eca010551f27e332a7acf2add
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106668
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.106668
Autor:
W. Alrashedi, H. Kochkar, G. Berhault, M. Younas, A. Ben Ali, N.A. Alomair, R. Hamdi, S.A. Abubshait, O. Alagha, M.F. Gondal, M. Haroun, C. Tratrat
Publikováno v:
Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry. 428:113858
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0f376bf2b270fceba64356a8d38e00e
https://doi.org/10.1016/j.jphotochem.2022.113858
https://doi.org/10.1016/j.jphotochem.2022.113858
Publikováno v:
2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S).
This paper presents a partitioning-free algorithm that transforms a 2D design into a gate-level Monolithic 3D one, reducing design footprint by 50%, total wire length by 15% and net switching power by at least 30% around iso-performance (considered w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ca1bce028aaea07b5bdb0a30bad9916
https://doi.org/10.1109/s3s.2017.8309221
https://doi.org/10.1109/s3s.2017.8309221
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
3DIC
2016 IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC)
2016 IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC), Nov 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1109/3DIC.2016.7970013⟩
2016 IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC)
2016 IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC), Nov 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1109/3DIC.2016.7970013⟩
Conference of 2016 IEEE International 3D Systems Integration Conference, 3DIC 2016 ; Conference Date: 8 November 2016 Through 11 November 2016; Conference Code:129057; International audience; CoolCubeTM is a monolithic 3D (M3D) technology offering a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6775041a29af1a59cd59612dbaf41d66
https://doi.org/10.1109/3dic.2016.7970013
https://doi.org/10.1109/3dic.2016.7970013
Autor:
Kaya Can Akyel, M. Brocard, R. Boumchedda, G. Berhault, O. Billoint, Bastien Giraud, Sebastien Thuries, Edith Beigne, David Turgis, J.-P. Noel
Publikováno v:
2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S).
In this paper, we present a high density 4T SRAM bitcell designed with 3D sequential CoolCube™ technology based on FD-SOI transistors in 14nm node. An in-house SPICE characterization testbench is used to optimize the critical operations (read and h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2118bf62b461a7ec7b1d48603301b37e
https://doi.org/10.1109/s3s.2016.7804376
https://doi.org/10.1109/s3s.2016.7804376
Autor:
Cristiano Santos, Daniel Gitlin, M. Brocard, G. Berhault, Jessy Micout, Sebastien Thuries, Perrine Batude, Laurent Brunet, Fabien Clermidy, C.-M. V. Lu, Paul Besombes, Francois Andrieu, O. Billoint, Maud Vinet, G. Cibrario, F. Deprat, Claire Fenouillet-Beranger, Vincent Mazzochi, O. Faynot, N. Rambal, Bernard Previtali
Publikováno v:
ESSDERC
3D VLSI with a CoolCube™ monolithic integration flow allows vertically stacking several layers of devices with a unique connecting via density above tens of million/mm2. This results in increased devices density and gains in power and performance t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ee8593f19a75bf09fddc12eb48ecbd6
https://doi.org/10.1109/essderc.2016.7599627
https://doi.org/10.1109/essderc.2016.7599627