Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"G. Benassayg"'
Autor:
G. Benassayg, E. Bolomyti, Vassilios Ioannou-Sougleridis, Nikos Glezos, Pascal Normand, Panagiotis Dimitrakis
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 159:75-79
In this work we examine the high temperature charge retention characteristics of modified SONOS (polySi-oxide-nitride-oxide-Si) capacitors. The modified SONOS structures were synthesized by Si low-energy implantation (1keV) into oxide-nitride (ON) st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7361304f5315ed71b736b51db254f14d
https://doi.org/10.1016/j.mee.2016.02.038
https://doi.org/10.1016/j.mee.2016.02.038
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.