Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"G. Autès"'
Autor:
N. Xu, H. M. Weng, B. Q. Lv, C. E. Matt, J. Park, F. Bisti, V. N. Strocov, D. Gawryluk, E. Pomjakushina, K. Conder, N. C. Plumb, M. Radovic, G. Autès, O. V. Yazyev, Z. Fang, X. Dai, T. Qian, J. Mesot, H. Ding, M. Shi
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 7, Iss 1, Pp 1-7 (2016)
Weyl semimetals exhibit exotic properties owing to the presence of Weyl fermions. Here, Xu et al. show that tantalum phosphide is an ideal platform for studying the transport properties of these particles because its low-energy properties are dominat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f6b73832be5f4bd8aaa9edd9aa28cf0a
Publikováno v:
Physical review letters. 117(6)
The recently discovered type-II Weyl points appear at the boundary between electron and hole pockets. Type-II Weyl semimetals that host such points are predicted to exhibit a new type of chiral anomaly and possess thermodynamic properties very differ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::d2f921f5bd3849a3b915cb4071d17a9a
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27541470
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27541470
Publikováno v:
Physical review letters. 104(21)
Calculations of the tunneling magnetoresistance (TMR) of an epitaxial Fe/MgO/Fe tunneling junction attached to an n-type GaAs lead, under positive gate voltage, are presented. It is shown that for realistic GaAs carrier densities the TMR of this comp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::ff2b6b765012391b1858f2ee04b296af
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/20867131
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/20867131
Autor:
A. Crepaldi, M. Zacchigna, M. Zonno, J. C. Johannsen, C. Tournier Colletta, L. Moreschini, I. Vobornik, F. Bondino, E. Magnano, H. Berger, A. Magrez, P.h. Bugnon, G. Autès, O. V. Yazyev, M. Grioni, F. Parmigiani, CILENTO, FEDERICO
Publikováno v:
Phys. Rev. B
PHYSICAL REVIEW B
PHYSICAL REVIEW B
Bulk Rashba systems BiTeX (X = I, Br, Cl) are emerging as important candidates for developing spintronics devices because of the coexistence of spin-split bulk and surface states, along with the ambipolar character of the surface charge carriers. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0969249c47f4201d609db9366b72eb96
http://arxiv.org/abs/1409.5025
http://arxiv.org/abs/1409.5025
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.