Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"G Le Mestreallan"'
Autor:
Y. Le Bellego, Sophie Bouchoule, P Win, H Sik, Gilles Patriarche, P Boulet, Abdallah Ougazzaden, G Le Mestreallan
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Selective planar regrowth of high resistivity (as high as 10 9 Ω cm) Fe-doped semi-insulating InP epitaxial layers has been studied to fabricate current confining layers for buried heterostructure lasers. The epitaxial layers were grown on patterned
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1cca064ea593676ef3beb197203dd9a7
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00706-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00706-4
Autor:
M. Quillec, O Parillaud, F. Alexandre, E. V. K. Rao, G Le Mestreallan, R. Azoulay, D.C. Nguyen, M. Juhel, Sophie Bouchoule, G. Le Roux
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 187:347-354
The growth of both undoped and iron doped InP on planar as well as non-planar (0 0 1)InP substrates has been explored using low pressure hydride vapour phase epitaxy (LP-HVPE) in the temperature range of 500–620°C. Secondary ion mass spectroscopy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a75d3581f9902ee507691a7f085c2723
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00881-6
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00881-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.