Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"G Le Mestreallan"'
1
Planar selective regrowth of high resistivity semi-insulating InP(Fe) by LP-MOVPE for buried lasers using TBP
Autor: Y. Le Bellego, Sophie Bouchoule, P Win, H Sik, Gilles Patriarche, P Boulet, Abdallah Ougazzaden, G Le Mestreallan
Publikováno v: Scopus-Elsevier
Selective planar regrowth of high resistivity (as high as 10 9 Ω cm) Fe-doped semi-insulating InP epitaxial layers has been studied to fabricate current confining layers for buried heterostructure lasers. The epitaxial layers were grown on patterned
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1cca064ea593676ef3beb197203dd9a7
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00706-4
Zobrazit plný text záznamu
2
Low temperature planar regrowth of semi-insulating InP by low pressure hydride vapour phase epitaxy for device application
Autor: M. Quillec, O Parillaud, F. Alexandre, E. V. K. Rao, G Le Mestreallan, R. Azoulay, D.C. Nguyen, M. Juhel, Sophie Bouchoule, G. Le Roux
Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 187:347-354
The growth of both undoped and iron doped InP on planar as well as non-planar (0 0 1)InP substrates has been explored using low pressure hydride vapour phase epitaxy (LP-HVPE) in the temperature range of 500–620°C. Secondary ion mass spectroscopy
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a75d3581f9902ee507691a7f085c2723
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00881-6
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Conference
Realisation of SI-BH lasers buried by selective LP-MOVPE regrowth under conventional conditions using TBP.
Autor: Sik, H., Bouchoule, S., Slempkes, S.
Publikováno v: Conference Proceedings Eleventh International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM'99) (Cat No99CH36362); 1999, p547-550, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Planarised InP regrowths around tall and narrow mesas using chloride-MOVPE [and electroabsorption modulator fabrication].
Autor: Perrin, S.D., Moore, R.T., Moodie, D.G., Rogers, D.C., Barrell, A.H.
Publikováno v: Conference Proceedings Eleventh International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM'99) (Cat No99CH36362); 1999, p63-66, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Analysis of InP Regrowth on Deep-Etched Mesas and Structural Characterization for Buried-Heterostructure Quantum Cascade Lasers.
Autor: Cheng, Liwei, Fan, Jenyu, Janssen, Douglas, Guo, Dingkai, Chen, Xing, Towner, Fred, Choa, Fow-Sen
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Mar2012, Vol. 41 Issue 3, p506-513, 8p, 3 Color Photographs, 4 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Hydride vapor phase epitaxy revisited.
Autor: Lourdudoss, S., Kjebon, O.
Publikováno v: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics; 1997, Vol. 3 Issue 3, p749-767, 19p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
1.5-/spl mu/m DFB lasers with new current-induced gain gratings.
Autor: Kazmierski, C., Robein, D., Mathoorasing, D., Ougazzaden, A., Filoche, M.
Publikováno v: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics; 1995, Vol. 1 Issue 2, p371-374, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje