Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"G Ben Asssayag"'
Autor:
Michele Perego, Dimitris Tsoukalas, Ch. Sohl, D. Skarlatos, V. Soncini, Panagiotis Dimitrakis, Alain Claverie, Caroline Bonafos, R Sotgiu, Marco Fanciulli, E. Kapetanakis, G Ben Asssayag, A. Agarwal, Pascal Normand, M. Ameen
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1511-1517
Si-nanocrystal memory devices aiming at low-voltage non-volatile memory applications are explored. The devices consist of a single metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with silicon nanocrystals fabricated through ultra-low-energy (1 keV)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bee414f49a3dad9222add03471d8654c
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.03.016
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.03.016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.