Výsledky vyhledávání - "G Ben Asssayag"

Silicon nanocrystal memory devices obtained by ultra-low-energy ion-beam synthesis

Autor: Michele Perego, Dimitris Tsoukalas, Ch. Sohl, D. Skarlatos, V. Soncini, Panagiotis Dimitrakis, Alain Claverie, Caroline Bonafos, R Sotgiu, Marco Fanciulli, E. Kapetanakis, G Ben Asssayag, A. Agarwal, Pascal Normand, M. Ameen

Publikováno v: Solid-State Electronics. 48:1511-1517

Si-nanocrystal memory devices aiming at low-voltage non-volatile memory applications are explored. The devices consist of a single metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with silicon nanocrystals fabricated through ultra-low-energy (1 keV)

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bee414f49a3dad9222add03471d8654c
https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.03.016

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Visible Photoluminescence of SiO Films Implanted with In and As Ions.

Autor: Tyschenko, I. E., Si, Zh., Cherkova, S. G., Popov, V. P.

Publikováno v: Optoelectronics Instrumentation & Data Processing; Feb2024, Vol. 60 Issue 1, p93-98, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Effect of annealing on charge transfer in Ge nanocrystal based nonvolatile memory structure.

Autor: Yang, M., Chen, T. P., Liu, Z., Wong, J. I., Zhang, W. L., Zhang, S., Liu, Y.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2009, Vol. 106 Issue 10, p103701-1-103701-7, 7p, 3 Diagrams, 6 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures with low-energy Ge-implanted and annealed thin gate oxides.

Autor: Kapetanakis, E., Normand, P., Holliger, P.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar2008, Vol. 103 Issue 6, p064515, 13p, 1 Diagram, 15 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Manipulation of 2D arrays of Si nanocrystals by ultra-low-energy ion beam-synthesis for nonvolatile memories applications.

Autor: Bonafos, C., Cherkashin, N., Carrada, M., Coffin, H., Ben Assayag, G., Schamm, S., Dimitrakis, P., Normand, P., Perego, M., Fanciulli, M., Muller, T., Heinig, K. H., Argawal, A., Claverie, A.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2004, Vol. 831 Issue 1, p219-224, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Semiconductor Nanocrystal Floating-gate Memory Devices.

Autor: Dimitrakis, P., Normand, P.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2004, Vol. 831 Issue 1, p205-218, 14p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Quantum dots for memory applications.

Autor: Dimitrakis, P., Normand, P., Ioannou‐Sougleridis, V., Bonafos, C., Schamm‐Chardon, S., BenAssayag, G., Iliopoulos, E.

Publikováno v: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2013, Vol. 210 Issue 8, p1490-1504, 15p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

From Wafer-Level Gate-Oxide Reliability Towards ESD Failures in Advanced CMOS Technologies.

Autor: Kerber, A., Röhner, M., Wallace, C., O'Riain, L., Kerber, M.

Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; Apr2006, Vol. 53 Issue 4, p917-920, 4p, 1 Diagram, 10 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání