Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"G, Laurencin"'
Publikováno v:
Biomaterials science. 7(9)
Graphene is a valuable material in biomedical implant applications due to its mechanical integrity, long-range order, and conductivity; but graphene must be chemically modified to increase biocompatibility and maximize functionality in the body. Here
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3943e8441a1436af596bc17847908b70
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31309944
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31309944
Publikováno v:
Clinical neuropharmacology. 22(4)
A case of phenothiazine-induced recrotizing colitis in a 41-year-old man is presented. A positive rechallenge was observed after introduction of another phenothiazine. The mechanism of this adverse drug reaction is discussed.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::65ab5f6759e3635da9786ba491b7be27
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10442257
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10442257
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 44:C4-409
The "etch pit" observation technique has been developed for the study of the crystalline perfection of mono and multilayer heterostructure. Before the selective revelation we form a chemical bevel with a very low angle. By this technique we can see i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fac37e21d5bca32832e4344dbcd267f3
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983448
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983448
Publikováno v:
Journal de Physique Lettres. 45:999-1005
Experimental results of Auger profiles obtained on chemical bevels of hetero-epitaxial structures (InP/Ga x In 1−x As/InP) are reported. The theoretical analysis of these results shows that the positions of the interfaces and widths of the quantum
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::442cbdc229198bbae363468bdc0c7b3e
https://doi.org/10.1051/jphyslet:019840045020099900
https://doi.org/10.1051/jphyslet:019840045020099900
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 40:978-980
We have developed a method of chemical beveling coupled with line scan Auger measurements to check abrupt interfaces of epitaxial III‐V compounds. Interface widths between 53 and 89 A have been measured by this method for an InP/Ga0.47In0.53As/InP
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eda9afb02b6f93a22405d92746f3d5bb
https://doi.org/10.1063/1.92974
https://doi.org/10.1063/1.92974
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.