Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"Futase, T."'
Publikováno v:
2011 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT); 2011, p55-60, 6p
Autor:
Futase, T., Tanimoto, H.
Publikováno v:
2011 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) & e-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC); 2011, p1-15, 15p
Publikováno v:
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS); 2010, p988-994, 7p
Publikováno v:
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS); 2010, p995-1000, 6p
Crystalline grain size of nickel-platinum silicide films and their impact on device characteristics.
Publikováno v:
2010 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM); 2010, p1-4, 4p
Publikováno v:
2009 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference; 2009, p245-249, 5p
Autor:
Kudo, S., Hirose, Y., Futase, T., Ogawa, Y., Yamaguchi, T., Kihara, K., Kashihara, K., Murata, N., Katayama, T., Asayama, K., Murakami, E.
Publikováno v:
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium; 2009, p311-316, 6p
Publikováno v:
2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing; 2007, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.