Zobrazeno 1 - 10 of 177 pro vyhledávání: '"Furukawa, Seijiro"'
2
Akademický článek
Channeling and backscattering studies of the crystalline perfection and the thermal stability of epitaxial PtSi films on Si.
Autor: Ishiwara, Hiroshi, Hikosaka, Kohki, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1979, Vol. 50 Issue 8, p5302-5306, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Lateral spread of damage formed by ion implantation.
Autor: Matsumura, Hideki, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1976, Vol. 47 Issue 5, p1746-1751, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Separate estimate of crystalline orientations and scattering centers in polycrystals by backscattering technique.
Autor: Ishiwara, Hiroshi, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1976, Vol. 47 Issue 4, p1686-1689, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Surface modification of CaF2 on Si(111) by low-energy electron beam for over growth of GaAs films.
Autor: Izumi, Akira, Tsutsui, Kazuo, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1994, Vol. 75 Issue 5, p2307, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
A novel heteroepitaxy method of Ge films on CaF2 by electron beam exposure.
Autor: Kanemaru, Seigo, Ishiwara, Hiroshi, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1988, Vol. 63 Issue 4, p1060, 5p, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Structural model of sputtered fluorinated amorphous silicon.
Autor: Matsumura, Hideki, Sakai, Kunihiro, Kawakyu, Yoshito, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1981, Vol. 52 Issue 9, p5537-5542, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Conductivity and p-n type control of fluorinated amorphous silicon (a-Si:F) without incorporating hydrogen.
Autor: Matsumura, Hideki, Nakagome, Yoshinobu, Furukawa, Seijiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1981, Vol. 52 Issue 1, p291-295, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Estimation of Strain under Electrodes of Semiconductor Devices with the Mobility Change Using Magneto-TLM Measurement.
Autor: Nakahara, Kouji1, Furukawa, Seijiro1
Publikováno v: Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics. Nov90, Vol. 73 Issue 11, p105-114. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Improvement of Thermal Stability of Boron in SiGeB/Si Heterostructure by Stress Compensation.
Autor: Sakano, Junichi1, Furukawa, Seijiro1
Publikováno v: Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics. May94, Vol. 77 Issue 5, p47-56. 10p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje