Zobrazeno 1 - 10 of 48 pro vyhledávání: '"Fullowan, T. R."'
2
Akademický článek
Single-energy, MeV implant isolation of multilayer III-V device structures.
Autor: Elliman, R. G., Ridgway, M. C., Jagadish, C., Pearton, S. J., Ren, F., Lothian, J., Fullowan, T. R., Katz, A., Abernathy, C. R., Kopf, R. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1992, Vol. 71 Issue 2, p1010, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Characteristics of Be+ and O+ or H+ co-implantation in GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistor structures.
Autor: Pearton, S. J., Ren, F., Wisk, P. W., Fullowan, T. R., Kopf, R. F., Kuo, J.-M., Hobson, W. S., Abernathy, C. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1991, Vol. 69 Issue 2, p698, 6p, 1 Black and White Photograph, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Temperature dependence of reactive ion etching of GaAs with CCl2F2:O2.
Autor: Pearton, S. J., Emerson, A. B., Chakrabarti, U. K., Lane, E., Jones, K. S., Short, K. T., White, Alice E., Fullowan, T. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1989, Vol. 66 Issue 8, p3839, 11p, 6 Black and White Photographs, 14 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Reactive ion etching of GaAs with CCl2F2:O2: Etch rates, surface chemistry, and residual damage.
Autor: Pearton, S. J., Vasile, M. J., Jones, K. S., Short, K. T., Lane, E., Fullowan, T. R., Von Neida, A. E., Haegel, N. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1989, Vol. 65 Issue 3, p1281, 12p, 8 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 1 Chart, 25 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Fabrication of self-aligned GaAs/AlGaAs and GaAs/InGaP microwave power heterojunction bipolar transistors.
Autor: Ren, F., Lothian, J. R., Pearton, S. J., Abernathy, C. R., Wisk, P. W., Fullowan, T. R., Tseng, B., Chu, S. N. G., Chen, Y. K., Yang, L. W., Fu, S. T., Brozovich, R. S., Lin, H. H., Henning, C. L., Henry, T.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 5, p2916-2928, 13p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Dry processed, through-wafer via holes for GaAs power devices.
Autor: Pearton, S. J., Ren, F., Katz, A., Lothian, J. R., Fullowan, T. R., Tseng, B.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 2, p152-158, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Dry etch processing of GaAs/AlGaAs high electron mobility transistor structures.
Autor: Pearton, S. J., Ren, F., Lothian, J. R., Fullowan, T. R., Kopf, R. F., Chakrabarti, U. K., Hui, S. P., Emerson, A. B., Kostelak, R. L., Pei, S. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1991, Vol. 9 Issue 5, p2487-2496, 10p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
AlInAs/InGaAs based heterojunction bipolar transistors fabricated by electron cyclotron resonance etch.
Autor: Fullowan, T. R., Pearton, S. J., Kopf, K. F., Smith, P. R.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1991, Vol. 9 Issue 3, p1445-1448, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Damage introduction in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor structures during electron cyclotron resonance plasma processing.
Autor: Ren, F., Fullowan, T. R., Pearton, S. J., Lothian, J. R., Esagui, R., Abernathy, C. R., Hobson, W. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1993, Vol. 11 Issue 4, p1768-1771, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje