Zobrazeno 1 - 10 of 66 pro vyhledávání: '"Fulks R"'
1
Akademický článek
Optimization of BF2+ implanted and rapidly annealed junctions in silicon.
Autor: Wu, I-W., Fulks, R. T., Mikkelsen, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1986, Vol. 60 Issue 7, p2422, 17p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Oxide charges induced in thermal silicon dioxide by scanning electron and laser beam annealing.
Autor: Razouk, R. R., Delfino, M., Fulks, R. T., Powell, R. A., Yep, T. O.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1982, Vol. 53 Issue 1, p800-803, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Conference
Laser Crystallized Polysilicon TFT'S Using LPCVD, PECVD and PVD Silicon Channel Materials-A Comparative Study.
Autor: Fulks, R. T., Boyce, J. B., Ho, J., Davis, G. A., Aebi, V.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1999, Vol. 557 Issue 1, p623-628, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Excimer laser processing for a-Si and poly-Si thin film transistors for imager applications.
Autor: Lu, J. P., Mei, P., Fulks, R. T., Rahn, J., Ho, J., Wang, Y., Boyce, J. B., Street, R. A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2000, Vol. 18 Issue 4, p1823-1829, 7p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Titanium-silicon and silicon dioxide reactions controlled by low temperature rapid thermal annealing.
Autor: Brillson, L. J., Slade, M. L., Richter, H. W., VanderPlas, H., Fulks, R. T.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1986, Vol. 4 Issue 3, p993-997, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje