Zobrazeno 1 - 10
of 337
pro vyhledávání: '"Fukui, Yutaka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Theriogenology 1 March 2013 79(4):680-686
Autor:
Hatta Hideyuki, Koketsu Hidenori, Katsutoshi Sugawara, Yasuhiro Kagawa, Shingo Tomohisa, Rina Tanaka, Fukui Yutaka, Miyata Yusuke, Hiroyoshi Suzuki, Naruhisa Miura, Kensuke Taguchi
Publikováno v:
Materials Science Forum. 1004:770-775
Gate oxide reliability of a trench-gate SiC MOSFET can be improved by incorporating a gate protection structure, but the resulting parasitic JFET resistance is one major drawback. For reduction of on-resistance, a new method of localized high-concent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e425637047b3eb98fe7d326baa2d8de
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.770
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.770
Autor:
Hatta Hideyuki, Miyata Yusuke, Rina Tanaka, Koketsu Hidenori, Yasuhiro Kagawa, Kensuke Taguchi, Hiroyoshi Suzuki, Naruhisa Miura, Katsutoshi Sugawara, Shingo Tomohisa, Fukui Yutaka
Publikováno v:
Materials Science Forum. 1004:764-769
A trench gate SiC-MOSFET with BPW grounded by tilted Al implantation is developed in order to optimize the cell design and process for grounding the BPW in a more simple manner. From evaluation of static characteristics, the MOSFETs with sidewall reg
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::98a6789b62c2db3bc34505610e2f54b2
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.764
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.764
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Adachi Kohei, Nobuo Fujiwara, Koji Sadamatsu, Kazuya Konishi, Shingo Tomohisa, Fukui Yutaka, Satoshi Yamakawa, Katsutoshi Sugawara, Hatta Hideyuki
Publikováno v:
Materials Science Forum. 924:761-764
An optimized layout for a trench-gate SiC-MOSFET with a self-aligned Bottom P-Well (BPW) was investigated for reduction of the specific on-resistance and switching loss. The static and dynamic characteristics of trench-gate MOSFETs with lattice and s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c43c02255dc525538353d2f07272735e
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.761
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.761
Publikováno v:
International Journal of Automation Technology; Mar2022, Vol. 16 Issue 2, p218-229, 12p
Publikováno v:
In Theriogenology 2006 65(6):1191-1199
Autor:
FUKUI, Yutaka
Publikováno v:
名古屋大学大学院教育発達科学研究科紀要. 心理発達科学. 66:104
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::52158ec69c0066933b6bd08d00400f91
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/30033
https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/30033