Zobrazeno 1 - 10
of 81
pro vyhledávání: '"Fujikawa, Makoto"'
Publikováno v:
In Cells & Development March 2023 173
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mikeli, Maimaiti1 (AUTHOR), Fujikawa, Makoto1 (AUTHOR), Nagahisa, Kai1 (AUTHOR), Yasuda, Shuhei1 (AUTHOR), Yamada, Natsuhiko1 (AUTHOR), Tanabe, Tsutomu1 (AUTHOR) t-tanabe.mphm@tmd.ac.jp
Publikováno v:
Genes to Cells. Feb2020, Vol. 25 Issue 2, p139-148. 10p.
Autor:
Kioka, Hidetaka, Kato, Hisakazu, Fujikawa, Makoto, Tsukamoto, Osamu, Suzuki, Toshiharu, Imamura, Hiromi, Nakano, Atsushi, Higo, Shuichiro, Yamazaki, Satoru, Matsuzaki, Takashi, Takafuji, Kazuaki, Asanuma, Hiroshi, Asakura, Masanori, Minamino, Tetsuo, Shintani, Yasunori, Yoshida, Masasuke, Noji, Hiroyuki, Kitakaze, Masafumi, Komuro, Issei, Asano, Yoshihiro, Takashima, Seiji
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2014 Jan 01. 111(1), 273-278.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/23770534
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Chanson, Jean-Francois de Marneffe, Kikuchi Yuki, Nozawa Syuji, Khashayar Babaei-Gavan, J.F Zhang, Askar Rezvanov, Ziad el Otell, Tatsuya Yamaguchi, Kaoru Maekawa, Fujikawa Makoto
Publikováno v:
ACS Applied Electronic Materials. 1:2602-2611
Nanoporous materials show a large surface area and co-continuous topology, leading to a high sensitivity to chemically active components over macroscopic length scales. The processing of nanoporous systems can be complex, causing modifications of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3d4e0a4a528984fac30a519ce5e2d5af
https://doi.org/10.1021/acsaelm.9b00589
https://doi.org/10.1021/acsaelm.9b00589
Autor:
Kikuchi Yuki, R. Chanson, J.-F. de Marneffe, Hiroaki Kawasaki, Kaoru Maekawa, Tatsuya Yamaguchi, Fujikawa Makoto, Nozawa Syuji
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 32:438-443
In back-end-of-the-line (BEOL) patterning process, porous low-k dielectrics are degraded by plasma reactive species during etching and resist stripping –this is so-called plasma induced damage (PID). PID increases the k-value of dielectrics and int
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01545311bf9e31e80555c709c166835b
https://doi.org/10.1109/tsm.2019.2941323
https://doi.org/10.1109/tsm.2019.2941323
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tatsuya Yamaguchi, R. Chanson, Zsolt Tokei, Fujikawa Makoto, Askar Rezvanov, N. Sato, K. Babaei Gavan, Nozawa Syuji, J.-F. de Marneffe, Frederic Lazzarino
Publikováno v:
2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM).
Plasma induced damage on porous low-k dielectrics is a critical issue for lowering the interconnect RC delay in densely packed CMOS transistors. In this paper, we propose a new approach to protect the pores on porous organo-silicate glasses (OSG) dur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0968ac0cbe63f70a169368b63d667dad
https://doi.org/10.1109/issm.2018.8651158
https://doi.org/10.1109/issm.2018.8651158
Autor:
Nozawa Syuji, Tatsuya Yamaguchi, J.F. Marneffe, Frederic Lazzarino, Askar Rezvanov, Fujikawa Makoto, K.B. Gavan, R. Chanson
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4093f07edb8c7c5f17112b7317a79a8c
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-3-11
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-3-11