Zobrazeno 1 - 10
of 429
pro vyhledávání: '"Fujihara, N."'
Autor:
SHIRANO, M., TAKAKURA, S., YAMAMOTO, M., MATSUMURA, Y., MATSUSHIMA, A., NAGAO, M., FUJIHARA, N., SAITO, T., ITO, Y., IINUMA, Y., SHIMIZU, T., FUJITA, N., ICHIYAMA, S.
Publikováno v:
Epidemiology and Infection, 2011 Mar 01. 139(3), 430-436.
Externí odkaz:
http://dx.doi.org/10.1017/S0950268810001123
Publikováno v:
In Clinical Microbiology and Infection September 2010 16(9):1488-1493
Autor:
OKUMURA, N. *, TERASAWA, F., HANEISHI, A., FUJIHARA, N., HIROTA‐KAWADOBORA, M., YAMAUCHI, K., OTA, H., LORD, S.T.
Publikováno v:
In Journal of Thrombosis and Haemostasis December 2007 5(12):2352-2359
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of thrombosis and haemostasis. 3(5):983-990
The definitive version is available at www.blackwell-synergy.com.
Article
JOURNAL OF THROMBOSIS AND HAEMOSTASIS. 3(5): 983-990 (2005)
Article
JOURNAL OF THROMBOSIS AND HAEMOSTASIS. 3(5): 983-990 (2005)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Umezawa, H., Arima, T., Fujihara, N., Taniuchi, H., Ishizaka, H., Tachiki, M., Wild, C., Koidl, P., Kawarada, H.
The RF device potential of surface-channel polycrystalline diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) is demonstrated for the first time. Utilizing a self-aligned gate field-effect transistor (FET) fabrication process, e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::7bac39b35669a3343b5e8c9b6f6e1588
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/202104
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/202104