Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Fuechsle, Martin"'
Autor:
Tettamanzi, Giuseppe Carlo, Hile, Samuel James, House, Matthew Gregory, Fuechsle, Martin, Rogge, Sven, Simmons, Michelle Y.
Publikováno v:
ACS NANO 2017
The ability to apply GHz frequencies to control the quantum state of a single $P$ atom is an essential requirement for the fast gate pulsing needed for qubit control in donor based silicon quantum computation. Here we demonstrate this with nanosecond
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1702.08569
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rueß, Frank J., Scappucci, Giordano, Füchsle, Martin, Pok, Wilson, Fuhrer, Andreas, Thompson, Daniel L., Reusch, Thilo C.G., Simmons, Michelle Y.
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2008 40(5):1006-1009
Autor:
Fuechsle, Martin1, Miwa, Jill A.1, Mahapatra, Suddhasatta1, Ryu, Hoon2, Lee, Sunhee3, Warschkow, Oliver4, Hollenberg, Lloyd C. L.5, Klimeck, Gerhard3, Simmons, Michelle Y.1
Publikováno v:
Nature Nanotechnology. Apr2012, Vol. 7 Issue 4, p242-246. 5p. 1 Color Photograph, 2 Graphs.
Autor:
Fuechsle, Martin1, Mahapatra, S.1, Zwanenburg, F. A.1, Friesen, Mark2, Eriksson, M. A.2, Simmons, Michelle Y.1 michelle.simmons@unsw.edu.au
Publikováno v:
Nature Nanotechnology. Jul2010, Vol. 5 Issue 7, p502-505. 4p. 1 Color Photograph, 3 Graphs.
Autor:
Hill, Charles D, Peretz, Eldad, Hile, Samuel J, House, Matthew G, Fuechsle, Martin, Rogge, Sven, Simmons, Michelle Y, Hollenberg, Lloyd C L
The exceptionally long quantum coherence times of phosphorus donor nuclear spin qubits in silicon, coupled with the proven scalability of silicon-based nano-electronics, make them attractive candidates for large-scale quantum computing. However, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::e240abcc3b0fb14d2759e165e4aebc63
http://sro.sussex.ac.uk/id/eprint/71487/1/e1500707.full.pdf
http://sro.sussex.ac.uk/id/eprint/71487/1/e1500707.full.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fuechsle, Martin Maximilian
We demonstrate the successful down-scaling of donor-based silicon quantum dot structures to the single donor limit. These planar devices are realized in ultra high vacuum (UHV) by means of scanning tunneling microscope (STM) based hydrogen lithograph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a7d0366ec04dbc4415816303631f2aee
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B: Condensed Matter & Materials Physics. Dec2015, Vol. 92 Issue 23, p1-6. 6p.