Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"Friedman, Lawrence H"'
Autor:
Friedman, Lawrence H.
Strained coherent heteroepitaxy of III-V semiconductor films such as In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs has potential for electronic and optoelectronic applications such as high density logic, quantum computing architectures, laser diodes, and other optoelectro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0804.2438
Autor:
Kumar, Chandan, Friedman, Lawrence H.
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 104, 034902 (2008)
Epitaxial self-assembled quantum dots (SAQDs) are of both technological and fundamental interest, but their reliable manufacture still presents a technical challenge. To better understand the formation, morphology and ordering of epitaxial self-assem
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0802.4456
Autor:
Friedman, Lawrence H.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials 36, 1546 (2007)
Heteroepitaxial self-assembled quantum dots (SAQDs) will allow breakthroughs in electronics and optoelectronics. SAQDs are a result of Stranski-Krastanow growth whereby a growing planar film becomes unstable after an initial wetting layer is formed.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0705.2601
Autor:
Friedman, Lawrence H.
Publikováno v:
L. H. Friedman. Order of epitaxial self-assembled quantum dots: Linear analysis. Journal of Nanophotonics, 1(1):013513, 2007.
Epitaxial self-assembled quantum dots (SAQDs) are of interest for nanostructured optoelectronic and electronic devices such as lasers, photodetectors and nanoscale logic. Spatial order and size order of SAQDs are important to the development of usabl
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0704.0067
Autor:
Friedman, Lawrence H.
Publikováno v:
Physical Review B, 75(19):193302, 2007
Epitaxial self-assembled quantum dots (SAQDs) represent an important step in the advancement of semiconductor fabrication at the nanoscale that will allow breakthroughs in electronics and optoelectronics. In these applications, order is a key factor.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0702278
Publikováno v:
In Ultramicroscopy January 2018 184 Part A:88-93
Autor:
Friedman, Lawrence H., Vaudin, Mark D., Stranick, Stephan J., Stan, Gheorghe, Gerbig, Yvonne B., Osborn, William, Cook, Robert F.
Publikováno v:
In Ultramicroscopy April 2016 163:75-86
Autor:
Yi, Feng1 (AUTHOR), Friedman, Lawrence H.1 (AUTHOR), Chen, Richard1 (AUTHOR), LaVan, David A.1 (AUTHOR) david.lavan@nist.gov
Publikováno v:
Journal of Thermal Analysis & Calorimetry. Dec2019, Vol. 138 Issue 5, p3367-3373. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.