Zobrazeno 1 - 10
of 138
pro vyhledávání: '"Fregonese, Sébastien"'
Autor:
Pandey, Himadri, Morales, Jorge Daniel Aguirre, Kataria, Satender, Fregonese, Sebastien, Passi, Vikram, Iannazzo, Mario, Zimmer, Thomas, Alarcon, Eduard, Lemme, Max C.
Publikováno v:
Annalen der Physik, 529 (11), 1700106, 2017
We report on electronic transport in dual-gate, artificially stacked bilayer graphene field effect transistors (BiGFETs) fabricated from large-area chemical vapor deposited (CVD) graphene. The devices show enhanced tendency to current saturation, whi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.01877
Autor:
Wen, Xin, Arabhavi, Akshay, Quan, Wei, Ostinelli, Olivier, Mukherjee, Chhandak, Deng, Marina, Frégonèse, Sébastien, Zimmer, Thomas, Maneux, Cristell, Bolognesi, Colombo R., Luisier, Mathieu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 130, 034502, 2021
The intrinsic performance of "type-II" InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) towards and beyond THz is predicted and analyzed based on a multi-scale technology computer aided design (TCAD) modeling platform calibrated against e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.08554
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2020 174
Autor:
Rodriguez, Saul, Vaziri, Sam, Smith, Anderson, Fregonese, Sebastien, Ostling, Mikael, Lemme, Max C., Rusu, Ana
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, 61(4): 1199-1206, 2014
During the last years, Graphene based Field Effect Transistors (GFET) have shown outstanding RF performance; therefore, they have attracted considerable attention from the electronic devices and circuits communities. At the same time, analytical mode
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1310.1940
Autor:
Weiß, Mario, Sahoo, Amit Kumar, Raya, Cristian, Santorelli, Marco, Fregonese, Sébastien, Maneux, Cristell, Zimmer, Thomas
This paper studies the mutual coupling in trench isolated multi emitter bipolar transistors fabricated in a Si/SiGe:C HBT technology STMicroelectronics featuring fT and fmax of ~300GHz and ~400GHz, respectively. Thermal coupling parameters are extrac
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1304.1781
Publikováno v:
Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2011 Proceedings of the European. IEEE, 2011. S. 239-242
This paper describes a new and simple approach to accurately characterize the transient self-heating effect in Si-Ge Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs), based on pulse measurements and verified through transient electro-thermal simulations. Th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1303.4641
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dwivedi, A.D.D., Chakravorty, Anjan, D’Esposito, Rosario, Sahoo, Amit Kumar, Fregonese, Sebastien, Zimmer, Thomas
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2016 115 Part A:1-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.