Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Frazzetto, Alessia"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 132 (2011)
Abstract The effects of near-surface processing on the properties of AlGaN/GaN heterostructures were studied, combining conventional electrical characterization on high-electron mobility transistors (HEMTs), with advanced characterization techniques
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c27cdc586b04b369f716b2a8dac68fc
Autor:
Saggio Mario, Zanetti Edoardo, Frazzetto Alessia, Giannazzo Filippo, Lo Nigro Raffaella, Di Franco Salvatore, Bongiorno Corrado, Raineri Vito, Roccaforte Fabrizio
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 158 (2011)
Abstract This work reports a nanoscale electro-structural characterisation of Ti/Al ohmic contacts formed on p-type Al-implanted silicon carbide (4H-SiC). The morphological and the electrical properties of the Al-implanted layer, annealed at 1700°C
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/67097c43644544f6ac5cba0737bc8619
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Oct2012, Vol. 112 Issue 8, p084501, 6p
Autor:
Frazzetto, Alessia Maria
In the modern society, the reduction of the energy consumption through its efficient use has become the main task of power electronics. In this context, Silicon Carbide (SiC) exhibits interesting electrical and physical properties which can satisfy t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2357::d797cbbb1786382a1167dd1c468664cb
https://hdl.handle.net/10761/3877
https://hdl.handle.net/10761/3877
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fiorenza, Patrick, Swanson, Lukas K., Vivona, Marilena, Giannazzo, Filippo, Bongiorno, Corrado, Lorenti, Simona, Frazzetto, Alessia, Roccaforte, Fabrizio
This paper reports a comparative characterization of SiO2/SiC interfaces subjected to post-oxide-deposition annealing in N2O or POCl3. Annealing process of the gate oxide in POCl3 allowed to achieve a notable increase of the MOSFET channel mobility (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::946069e800ebfcb835adeafbc88ea655
https://zenodo.org/record/890825
https://zenodo.org/record/890825
Autor:
Fiorenza, Patrick, Greco, Giuseppe, Vivona, Marilena, Giannazzo, Filippo, Di Franco, Salvatore, Frazzetto, Alessia, Guarnera, Alfio, Saggio, Mario, Iucolano, Ferdinando, Patti, Alfonso, Roccaforte, Fabrizio
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2017, Vol. 214 Issue 4, pn/a-N.PAG, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.