Zobrazeno 1 - 10
of 325
pro vyhledávání: '"Frayssinet E"'
Autor:
Souissi, H., Gromovyi, M., Septembre, I., Develay, V., Brimont, C., Doyennette, L., Cambril, E., Bouchoule, S., Alloing, B., Frayssinet, E., Zúñiga-Pérez, J., Ackemann, T., Malpuech, G., Solnyshkov, D. D, Guillet, T.
Publikováno v:
Optica 11, 962-970 (2024)
So far, exciton-polariton (polariton) lasers were mostly single mode lasers based on microcavities. Despite the large repulsive polariton-polariton interaction, pulsed mode-locked polariton laser was never reported. Here, we use a $60 \ \mu m-$long G
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.18661
Autor:
Giannazzo, F., Panasci, S. E., Schilirò, E., Greco, G., Roccaforte, F., Sfuncia, G., Nicotra, G., Cannas, M., Agnello, S., Frayssinet, E., Cordier, Y., Michon, A., Koos, A., Pécz, B.
The integration of two-dimensional $MoS_{2}$ with $GaN$ recently attracted significant interest for future electronic/optoelectronic applications. However, the reported studies have been mainly carried out using heteroepitaxial $GaN$ templates on sap
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.12213
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 May 2023 277
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Orosz, L., Réveret, F., Bouchoule, S., Zúñiga-Pérez, J., Médard, F., Leymarie, J., Disseix, P., Mihailovic, M., Frayssinet, E., Semond, F., Leroux, M., Mexis, M., Brimont, C., Guillet, T.
Publikováno v:
Appl. Phys. Express 4 (2011) 072001
In order to achieve polariton lasing at room temperature, a new fabrication methodology for planar microcavities is proposed: a ZnO-based microcavity in which the active region is epitaxially grown on an AlGaN/AlN/Si substrate and in which two dielec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.0747
Autor:
Chimento, F., Bengoa, G., Amado, M., Arango, D., Ciuró, G. Rodríguez, Favero, M., Frayssinet, E., González, A., Gómez, M., Kaczan, G., Martínez, B., Retamozzo, E., Ruppel, C., Strano, L., Yapur, N.
Publikováno v:
Cuadernos del Centro de Estudios de Diseño y Comunicación; 2024/2025, Vol. 27 Issue 232, p95-111, 17p
Autor:
Orfao, B., Di Gioia, G., Vasallo, B. G., Pérez, S., Mateos, J., Roelens, Y., Frayssinet, E., Cordier, Y., Zaknoune, M., González, T.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/28/2022, Vol. 132 Issue 4, p1-10, 10p
Publikováno v:
In Current Applied Physics December 2017 17(12):1601-1608
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Two-dimensional dopant profiling of gallium nitride p–n junctions by scanning capacitance microscopy
Autor:
Lamhamdi, M., Cayrel, F., Frayssinet, E., Bazin, A.E., Yvon, A., Collard, E., Cordier, Y., Alquier, D.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 April 2016 372:67-71