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Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Electronics
IEEE Transactions on Power Electronics, In press, pp.1-14. ⟨10.1109/TPEL.2023.3276478⟩
IEEE Transactions on Power Electronics, In press, pp.1-14. ⟨10.1109/TPEL.2023.3276478⟩
International audience
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a062b4b27fe27f2eadd8c7839147cad4
https://hal.science/hal-04100701
https://hal.science/hal-04100701
Publikováno v:
Active and Passive Smart Structures and Integrated Systems XVII.
Publikováno v:
2023 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles & International Transportation Electrification Conference (ESARS-ITEC).
Publikováno v:
2022 IEEE 7th Southern Power Electronics Conference (SPEC).
Publikováno v:
2022 IEEE International Conference on Electrical Sciences and Technologies in Maghreb (CISTEM).
Publikováno v:
International Workshop on Integrated Power Packaging
International Workshop on Integrated Power Packaging, Apr 2019, Toulouse, France
HAL
International Workshop on Integrated Power Packaging, Apr 2019, Toulouse, France
HAL
International audience; The temperature distribution in a Silicon Carbide (SiC) MOSFET during a destructive short-circuit is simulated using a custom 1D-finite difference model implemented using Matlab. Some of the main assumptions usually put forwar
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2b65dae8b28eeacf0943a45c1b90a75f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02187486/document
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Publikováno v:
19 ème Colloque International et Exposition sur la Compatibilité ÉlectroMagnétique (CEM 2018)
19 ème Colloque International et Exposition sur la Compatibilité ÉlectroMagnétique (CEM 2018), Jul 2018, Paris, France
HAL
19 ème Colloque International et Exposition sur la Compatibilité ÉlectroMagnétique (CEM 2018), Jul 2018, Paris, France
HAL
International audience; In this paper, the parasitic elements of a GaN based power module are investigated. Because the very high-speed switching of GaN high electron mobility transistors leads to overvoltage, conducted and radiated emissions, it is
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::00974485d2a4c9ac9784b37bde424fb7
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02051418/file/XIAOSHAN_CEM2018_final.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02051418/file/XIAOSHAN_CEM2018_final.pdf
Publikováno v:
Symposium de Génie Electrique
Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France
3ème Symposium de génie électrique (SGE 2018)
3ème Symposium de génie électrique (SGE 2018), Jul 2018, Nancy, France
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Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France
3ème Symposium de génie électrique (SGE 2018)
3ème Symposium de génie électrique (SGE 2018), Jul 2018, Nancy, France
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International audience; Une interface de mousse métallique pressée est utilisée pour connecter la face avant d'une puce de puissance enfouie dans un circuit imprimé. Le procédé technique mis en œuvre est détaillé, des prototypes simples sont
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bb57b6f49d3ad3724ef722a7549fd957
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01831035v2/document
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Autor:
Mickael Petit, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, François Costa, Mounira Berkani, Bertrand Revol
Publikováno v:
COMET, Elaboration de composants passifs magnétiques
COMET, Elaboration de composants passifs magnétiques, CNES Toulouse, Apr 2018, Toulouse, France
HAL
COMET, Elaboration de composants passifs magnétiques, CNES Toulouse, Apr 2018, Toulouse, France
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National audience
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::28b84538a3325f7aa35393d2f1f1599f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01802072
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Publikováno v:
Active and Passive Smart Structures and Integrated Systems XII.