Zobrazeno 1 - 10 of 481 pro vyhledávání: '"Foxon, Ct"'
1
Report
Transport and Magnetism in p-type cubic (Ga,Mn)N
Autor: Edmonds, KW, Novikov, SV, Sawicki, M, Campion, RP, Staddon, C. R., Giddings, AD, Zhao, LX, Wang, KY, Dietl, T, Foxon, CT, Gallagher, BL
Publikováno v: Part of this manuscript was published in Applied Physics Letters, vol. 86, p. 152114 (2005)
The electrical and magnetic properties of p-type cubic (Ga,Mn)N thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy are reported. Hole concentrations in excess of 1018 cm-3 at room temperature are observed. Activated behaviour is observed down
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0411476
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
High quality GaMnAs films grown with As dimers
Autor: Campion, RP, Edmonds, KW, Zhao, LX, Wang, KY, Foxon, CT, Gallagher, BL, Staddon, CR
We demonstrate that GaMnAs films grown with As2 have excellent structural, electrical and magnetic properties, comparable or better than similar films grown with As4. Using As2, a Curie temperature of 112K has been achieved, which is slightly higher
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0211698
Zobrazit plný text záznamu
3
Report
Phonon Absorption at the Magneto-Roton Minimum in the Fractional Quantum Hall Effect
Autor: Mellor, CJ, Eyles, RH, Digby, JE, Kent, AJ, Benedict, KA, Challis, LJ, Henini, M, Foxon, CT, Harris, JJ
We have made the first phonon absorption measurements in the fractional quantum Hall r\'egime. Experiments have been conducted on two samples which have similar electron densities but greatly differing mobilities. The energy gaps as measured by activ
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9408034
Zobrazit plný text záznamu
5
Characterization of p-GaN$_{1−x}$ As$_{x}$/n-GaN PN junction diodes
Autor: Qian, H, Lee, KB, Vajargah, SH, Novikov, SV, Guiney, I, Zhang, S, Zaidi, ZH, Jiang, S, Wallis, DJ, Foxon, CT, Humphreys, CJ, Houston, PA
The structural properties and electrical conduction mechanisms of p-type amorphous GaN$_{1−x}$ As$_{x}$ /n-type crystalline GaN PN junction diodes are presented. A hole concentration of 8.5 × 10$^{19}$ cm$^{-3}$ is achieved which allows a specific
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::954c2a558f2a62b28f39c74e4ed90263
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/263985
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje