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Dissertation/ Thesis
Etude par photoémission d'interfaces métal / oxyde et métal / semiconducteur élaborées par épitaxie par jets moléculaires
Autor: Fouquat, Louise
La recherche d’une miniaturisation toujours plus poussée des dispositifs en micro- et opto- électronique a participé au développement des nanotechnologies. A l’échelle nanométrique, la densité des interfaces augmente énormément leur conf
Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018LYSEC045/document
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2
Report
Early stages of GaAs nanowires VLS self-catalyzed growth on silica-terminated silicon substrate: A photoemission study
Autor: Fouquat, Louise, Vettori, Marco, Botella, Claude, Benamrouche, Aziz, Penuelas, Jose, Grenet, Genevieve
In this paper the early stages of the self-catalyzed Vapor-Liquid-Solid (VLS) growth of GaAs nanowires on epi-ready Si substrates by Molecular Beam Epitaxy (MBE) are studied. The interaction of Ga nano-droplets (NDs) with the silica overlayer is inve
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1910.14570
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Akademický článek
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Photoemission study of metal / oxide and metal / semiconductor interfaces grown by molecular beam epitaxy
Autor: Fouquat, Louise
Publikováno v: Autre. Université de Lyon, 2018. Français. ⟨NNT : 2018LYSEC045⟩
Miniaturization of micro- and opto-electronics devices has led to the development of nanotechnologies. At this scale, the density of interfaces drastically increases explaining their critical role in the device performances. In this thesis, interest
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1f365c659c40e4d2762ed69b80dbf4e9
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02108255v2/file/TH_T2657_lfouquat.pdf
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Hétérostructures à base de nanofils III-V
Autor: Penuelas, José, GUAN, Xin, Becdelievre, Jeanne, FOUQUAT, Louise, Regreny, Philippe, GENDRY, Michel, Saint-Girons, Guillaume, Bachelet, Romain, Danescu, Alexandre, Botella, Claude, GRENET, Geneviève
Publikováno v: Journées Surfaces et Interfaces
Journées Surfaces et Interfaces, Jan 2018, Strasbourg, France
26/01/2018; International audience; Les nanofils semiconducteurs ont été intensivement étudiés au cours de ces dernières années en raison de leurs propriétés physiques originales. Contrairement à d’autres systèmes, les nanofils offrent la
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2198c675db08a2d4484875240cc9b0b9
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01701541
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Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
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