Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Forsh, E. A."'
Autor:
Forsh, E. A.1 (AUTHOR) forsh_kate@list.ru, Guseva, E. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2020, Vol. 54 Issue 2, p217-221. 5p.
Autor:
Guseva, E. A.1 (AUTHOR), Forsh, E. A.1 (AUTHOR) forsh_kate@list.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2019, Vol. 53 Issue 7, p936-940. 5p.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 6, Pp 35-37 (2009)
An effect of thermal oxidation on the conductivity of porous silicon layers prepared by electrochemical etching of single-crystal silicon wafers with (110) orientation of the surface are investigated. The thermal oxidation is found to influence on th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c6272442a9e446daebfc361bf2675d4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ilin, A., Martyshov, M., Forsh, E., Forsh, P., Rumyantseva, M., Abakumov, Artem M., Gaskov, A., Kashkarov, P.
Publikováno v:
Sensors and actuators : B : chemical
Nanocrystalline indium oxide films with extremely small grains in range of 7-40 nm are prepared by sol-gel method. The influence of grain size on the sensitivity of indium oxide to nitrogen dioxide in low concentration at room temperature is investig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::117ac06206714a5cb30e68ac2f097335
https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.03.051
https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.03.051
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2015, Vol. 49 Issue 9, p1149-1153. 5p.
Autor:
Savin, K., Forsh, P., Kazanskiy, A., Amasev, D., Tameev, A., Tedoradze, M., Presnov, D., Forsh, E., Kulbachinskii, V., Kaskarov, P.
Publikováno v:
Nanotechnologies in Russia; Nov2020, Vol. 15 Issue 11/12, p770-777, 8p
Autor:
Forsh, E., Marikutsa, A.1, Martyshov, M.1, Forsh, P. forsh@vega.phys.msu.ru, Rumyantseva, M.1, Gas'kov, A.1, Kashkarov, P.
Publikováno v:
Journal of Experimental & Theoretical Physics. Oct2010, Vol. 111 Issue 4, p653-658. 6p. 2 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Dec2019, Vol. 48 Issue 8, p576-581, 6p
Publikováno v:
Evolutionäre Medizin; 2016, p340-344, 5p