Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Foronda, Humberto"'
Autor:
SaifAddin, Burhan K., Almogbel, Abdullah, Zollner, Christian J., Foronda, Humberto, Alyamani, Ahmed, Albadri, Abdulrahman, Iza, Michael, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P., Speck, James S.
The light output of deep ultraviolet (UV-C) AlGaN light-emitting diodes (LEDs) is limited due to their poor light extraction efficiency (LEE). To improve the LEE of AlGaN LEDs, we developed a fabrication technology to process AlGaN LEDs grown on SiC
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.01125
Autor:
Foronda, Humberto M., Wu, Feng, Zollner, Christian, Alif, Muhammad Esmed, Saifaddin, Burhan, Almogbel, Abdullah, Iza, Michael, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P., Speck, James S.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 February 2018 483:134-139
Autor:
Foronda, Humberto M., Mazumder, Baishakhi, Young, Erin C., Laurent, Matthew A., Li, Youli, DenBaars, Steven P., Speck, James S.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 October 2017 475:127-135
Autor:
Farzana, Esmat, Foronda, Humberto M., Jackson, Christine M., Razzak, Towhidur, Zhang, Zeng, Speck, James S., Arehart, Aaron R., Ringel, Steven A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 14, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
SaifAddin, Burhan K, Almogbel, Abdullah, Zollner, Christian J, Foronda, Humberto, Alyamani, Ahmed, Albadri, Abdulrahman, Iza, Michael, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P, Speck, James S
Publikováno v:
SaifAddin, Burhan K; Almogbel, Abdullah; Zollner, Christian J; Foronda, Humberto; Alyamani, Ahmed; Albadri, Abdulrahman; et al.(2019). Fabrication technology for high light-extraction ultraviolet thin-film flip-chip (UV TFFC) LEDs grown on SiC. Semiconductor Science and Technology, 34(3), 035007-035007. doi: 10.1088/1361-6641/aaf58f. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/4vw570c5
Semiconductor Science and Technology, vol 34, iss 3
Semiconductor Science and Technology, vol 34, iss 3
The light output of deep ultraviolet (UV-C) AlGaN light-emitting diodes (LEDs) is limited due to their poor light extraction efficiency (LEE). To improve the LEE of AlGaN LEDs, we developed a fabrication technology to process AlGaN LEDs grown on SiC
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e12a9c06fab3af2eab637e6c8787287c
http://www.escholarship.org/uc/item/4vw570c5
http://www.escholarship.org/uc/item/4vw570c5
Autor:
Saifaddin, Burhan, Iza, Michael, Foronda, Humberto, Almogbel, Abdullah, Zollner, Christian J, Wu, Feng, Alyamani, Ahmed, Abdulrahman Albadri, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P., Speck, James S.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70d78bb3a6762e4e2606f438f7166137
Autor:
Foronda, Humberto M., Romanov, Alexey E., Young, Erin C., Roberston, Christian A., Beltz, Glenn E., Speck, James S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 3, p035104-1-035104-7, 7p, 1 Black and White Photograph, 7 Diagrams, 2 Charts, 1 Graph