Zobrazeno 1 - 10
of 629
pro vyhledávání: '"Formation energies"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 16, Iss 20, p 6758 (2023)
Iron impurities are believed to act as deep acceptors that can compensate for the n-type conductivity in as-grown Ga2O3, but several scientific issues, such as the site occupation of the Fe heteroatom and the complexes of Fe-doped β-Ga2O3 with nativ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d248601b421b4b309482da089b968929
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yueyu Zhou, Jing Gao, Yiting Gui, Jun Wen, Yan Wang, Xiaoxiao Huang, Jun Cheng, Quanjin Liu, Qiang Wang, Chenlong Wei
Publikováno v:
Optical Materials: X, Vol 16, Iss , Pp 100196- (2022)
Lanthanide-doped UCr4C4-type phosphors have become one of the most promising materials for the narrow-band luminescence, due to their high photoluminescence quantum efficiency and good thermal stabilities. In this study, four machine learning regress
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e3a3d6ab66bb44dcbdf04a8934fd0661
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 16, Iss 15, p 5317 (2023)
The intrinsic n-type conduction in Gallium oxides (Ga2O3) seriously hinders its potential optoelectronic applications. Pursuing p-type conductivity is of longstanding research interest for Ga2O3, where the Cu- and Zn-dopants serve as promising candid
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dba3202d2baf4b44b5d55c42f2794c17
Autor:
L.I. Ovsiannikova, G.V. Lashkarev, V.V. Kartuzov, D.V. Myroniuk, M.V. Dranchuk, A.I. Ievtushenko
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 22, Iss 2, Pp 204-208 (2021)
The fullerene like Zn32Al4O36 clusters were investigated and the oxygen interstitial Oi acceptor intrinsic defect formation energy as well as Al ionization energy were calculated. The effect of lattice packing defects on the electroactivity of Al imp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/54359224dab4424288a001408147ce21
Publikováno v:
Journal of Composites Science, Vol 6, Iss 12, p 383 (2022)
In this research, we have explored the effect of Au:Cu ratio on the crystallographic and electronic structural properties, formation energies, and radial distribution function (RDF) of Au-Cu alloy materials via density functional calculations. The re
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29fb47fd878c49d082c2af777a497b7a