Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Foisy, M.C."'
Autor:
Loiko, K.V., Adams, V., Tekleab, D., Winstead, B., Bo, X.-Z., Grudowski, P., Goktepeli, S., Filipiak, S., Goolsby, B., Kolagunta, V., Foisy, M.C.
Publikováno v:
2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2006, p123-126, 4p
Publikováno v:
IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices & Circuits, 1987 Proceedings; 1987, p60-69, 10p
Publikováno v:
2010 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE); 2010, p203-205, 3p
Autor:
Chandra, A., Foisy, M.C.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1991, Vol. 38 Issue 6, p1238-1245, 8p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1989, Vol. 36 Issue 5, p833-838, 6p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1988, Vol. 35 Issue 7, p871-878, 8p
Autor:
Nguyen, L.D., Schaff, W.J., Tasker, P.J., Lepore, A.N., Palmateer, L.F., Foisy, M.C., Eastman, L.F.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1988, Vol. 35 Issue 2, p139-144, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.