Zobrazeno 1 - 10
of 657
pro vyhledávání: '"Floating body effect"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1080-1084 (2019)
We have developed a capacitor-less I&F neuron circuit with a dual gate positive feedback fieldeffect transistor (FBFET) and successfully co-integrated FBFET and CMOS in a wafer. By implementing the neuron circuit with FBFET, we can overcome the limit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c95f424d327b4298b1995b386268ccee
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Silicon. 14:5905-5912
In this paper, a SOI MOSFET is proposed using a P-N structure and an electrically hole-free region (EHFR-SOI). In this structure, to improve the electrical characteristics such as short channel effects, self-heating effects, and floating body effects
Publikováno v:
Silicon. 14:3911-3917
In this article, a novel SOI MESFET which can be suitable for high power applications is proposed. In order to upgrade its electrical characteristics, a protruded gate and dual wells (PGDW) n-type silicon in the buried oxide are formed. This strategy
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Silicon. 14:2803-2811
Ultra low-power Silicon-on-Insulator (SOI) transistor makes it possible to lower the supply voltage and reduce the power dissipation. However, these SOI MOSFET are still suffering from short channel effects (SCEs), the floating body effect (FBE) and
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:5329-5335
We have demonstrated, for the first time, a surrounding gate vertical-channel field-effect transistor (FET) with a gate length of 40 nm by introducing back-end-of-line (BEOL) process-compatible oxide semiconductor (OS) In-Al-Zn-O as a channel materia