Zobrazeno 1 - 10
of 774
pro vyhledávání: '"Fleetwood, Daniel M."'
Autor:
Nielsen, Dallin O., Van de Walle, Chris G., Pantelides, Sokrates T., Schrimpf, Ronald D., Fleetwood, Daniel M., Fischetti, Massimo V.
The present work is concerned with studying accurately the energy-loss processes that control the thermalization of hot electrons and holes that are generated by high-energy radiation in wurtzite GaN, using an ab initio approach. Current physical mod
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.03893
Autor:
King, Michael P., Gong, Datao, Liu, Chonghan, Liu, Tiankuan, Xiang, Annie C., Ye, Jinbo, Schrimpf, Ronald D., Reed, Robert A., Alles, Michael L., Fleetwood, Daniel M.
Publikováno v:
JINST 5 C11021 (2010)
The radiation response of a 0.25 um silicon-on-sapphire CMOS technology is characterized at the transistor and circuit levels utilizing both standard and enclosed layout devices. Device-level characterization showed threshold voltage change of less t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.05745
Autor:
Zhou, Yue, Bi, Dawei, Wang, Songlin, Wu, Longsheng, Huang, Yi, Zhang, Enxia, Fleetwood, Daniel M., Wu, Aimin
In this work, the radiation responses of silicon photonic passive devices built in silicon-on-insulator (SOI) technology are investigated through high energy neutron and 60Co gamma-ray irradiation. The wavelengths of both micro-ring resonators (MRRs)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.14459
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/21/2024, Vol. 135 Issue 19, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kumari, Preeti, Davies, Levi, Bhat, Narayana P., Zhang, En Xia, McCurdy, Michael W., Fleetwood, Daniel M., Ray, Biswajit
In this paper we show that state-of-the-art commercial off-the-shelf Flash memory chip technology (20 nm technology node with multi-level cells) is quite sensitive to ionizing radiation. We find that the fail-bit count in these Flash chips starts to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.08520
Autor:
Bonaldo, Stefano, Ma, Teng, Mattiazzo, Serena, Baschirotto, Andrea, Enz, Christian, Fleetwood, Daniel M., Paccagnella, Alessandro, Gerardin, Simone
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 11 June 2022 1033
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.