Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"Flade, T."'
Autor:
Stenzenberger, J, Bünger, T, Börner, F, Eichler, S, Flade, T, Hammer, R, Jurisch, M *, Kretzer, U, Teichert, S, Weinert, B
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2003 250(1):57-61
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth May 2001 225(2-4):561-565
Autor:
Bünger, Th. *, Behr, D., Eichler, St., Flade, T., Fliegel, W., Jurisch, M., Kleinwechter, A., Kretzer, U., Steinegger, Th., Weinert, B.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2001 80(1):5-9
Carbon, oxygen, boron, hydrogen and nitrogen in the LEC growth of SI GaAs: a thermochemical approach
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1999 198 Part 1:343-348
Autor:
Flade, T., Jurisch, M. *, Kleinwechter, A., Köhler, A., Kretzer, U., Prause, J., Reinhold, Th., Weinert, B.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1999 198 Part 1:336-342
Autor:
Gärtner, G a, Flade, T b, Jurisch, M b, *, Köhler, A b, Korb, J c, Kretzer, U b, Weinert, B b
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1999 198 Part 1:355-360
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/15/1991, Vol. 69 Issue 4, p2245, 6p, 1 Chart, 6 Graphs
Publikováno v:
Zeitschrift für Metallkunde 96(2005), 785-791
Driven by the requirement of high cutting efficiency and improvement of wafer flatness wire sawing of GaAs single crystals under brittle material removal conditions has been studied. Crack nucleation and crack propagation were investigated by indenta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::9212b933267c9fb5510ded8df602eab2
https://www.hzdr.de/publications/Publ-6975-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-6975-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.