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Autor:
Lamas, Tomás Erikson
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No
Autor:
Tomás Erikson Lamas
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No
Modelos microscópicos de impurezas em silicio
Microscopic models of silicon impurities
Microscopic models of silicon impurities
Autor:
Lucy Vitoria Credidio Assali
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPUniversidade de São PauloUSP.
Modelos microscópicos de impurezas em silicio
Microscopic models of silicon impurities
Microscopic models of silicon impurities