Zobrazeno 1 - 10
of 19 240
pro vyhledávání: '"FinFETs"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Feijoo, Pedro C., Kauerauf, Thomas, Toledano-Luque, María, Togo, Mitsuhiro, Andrés, Enrique San, Groeseneken, Guido
Publikováno v:
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, VOL. 12, NO. 1, (2012)
In this paper, the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in sub-1-nm equivalent oxide thickness (EOT) n-type bulk FinFETs is studied. The gate stacks consist of an IMEC clean interfacial layer, atomic layer deposition HfO2 high-k and TiN metal e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.00886
In this work, the self-heating effect in inversion mode FinFET and Junctionless (accumulation mode) FinFET is compared and the influence of the different electrical and geometric parameters on the self-heating effect are considered. It is shown, that
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.10858
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qamar-Ud-Din Memon, Saif Ur Rehman, Muhammad Adil Bashir, Noor Muhammad Memon, Mohd Anul Haq, Sultan Alharby, Ahmed Alhussen, Ateeq Ur Rehman
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 14238-14247 (2024)
This paper discusses the alternating-current (AC) and direct-current (DC) characteristics of Trigate FinFETs. A modified non linear DC model is proposed to predict $I-V$ characteristics with effect of an efficient technique for the extraction of AC s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/22c221870317442b87ee9a0d67582582
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.