Výsledky vyhledávání - "FinFET transistors"

Dissertation/ Thesis

Développement de procédés de gravure plasma sans dommages pour l'intégration de l'InGaAs comme canal tridimensionnel de transistor nMOS non-planaire

Autor: Bizouerne, Maxime

L’augmentation des performances des dispositifs de la microélectronique repose encore pour une dizaine d’années sur une miniaturisation des circuits intégrés. Cette miniaturisation s’accompagne inévitablement d’une complexification des a

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2018GREAT030/document

Zobrazit plný text záznamu

Development of damage free plasma etching processes for the integration of InGaAs as non-planar nMOS transistor tridimensional channel

Autor: Bizouerne, Maxime

Publikováno v: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT030⟩

Increasing the performance of transistors for the next decade still relies on transistor downscaling which is inevitably accompanied by an increasing complexity of the architectures and materials involved. At the beginning of this thesis, one strateg

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::65c1303fdbf3dcd04e10a5ae3dde8180
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01882694/file/BIZOUERNE_2018_diffusion.pdf

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání