Zobrazeno 1 - 10
of 1 419
pro vyhledávání: '"FinFET transistors"'
Autor:
Nasri, Faouzi, Guedri, Hichem, Ben Aissa, Mohamed Fadhel, Trabelsi, Youssef, Jaba, Nejeh, Belmabrouk, Hafedh, Atri, Mohamed
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures August 2021 156
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vereecke, Guy, De Coster, Hanne, Van Alphen, Senne, Carolan, Patrick, Bender, Hugo, Willems, Kherim, Ragnarsson, Lars-Åke, Van Dorpe, Pol, Horiguchi, Naoto, Holsteyns, Frank
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 November 2018 200:56-61
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 20, p 10519 (2022)
In the deep submicron regime, FinFET successfully suppresses the leakage current using a 3D fin-like channel substrate, which gets depleted and blocks possible leakage as the gate is applied with a bias wholly wrapping the channel. Fortunately, a sca
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a3d38593527e434eb1898f9dad8c7710
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Faouzi Nasri, Najeh Rekik, Haifa Bahri, Umer Farooq, A. Wahab M. A. Hussein, Hira Affan, Abdelhamid Alabid, Bachir Ouari
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:1595-1600
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12f03a9dab4dc3c4cdf1ecf6b09268a3
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3248537
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3248537
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.