Zobrazeno 1 - 10
of 331
pro vyhledávání: '"Fin field effect transistor"'
Autor:
Zhaohao Zhang, Guohui Zhan, Weizhuo Gan, Yan Cheng, Xumeng Zhang, Yue Peng, Jianshi Tang, Fan Zhang, Jiali Huo, Gaobo Xu, Qingzhu Zhang, Zhenhua Wu, Yan Liu, Hangbing Lv, Qi Liu, Genquan Han, Huaxiang Yin, Jun Luo, Wenwu Wang
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems, Vol 5, Iss 11, Pp n/a-n/a (2023)
Artificial synapses are key elements in building bioinspired, neuromorphic computing systems. Ferroelectric field‐effect transistors (FeFETs) with excellent controllability and complementary metal oxide semiconductor (CMOS) compatibility are favora
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49aba2ff74004ff7a5634dd3fc913dcf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 5, p 1090 (2023)
We comprehensively investigate displacement-defect-induced current and static noise margin variations in six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) based on a 10 nm node fin field-effect transistor (FinFET) using technology computer-aided
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bc41958415a44a088db69df06a76c7d6
Autor:
Katikala Hima Bindu, Kumar Kommuri Manoj, Malapati Loshalika Reddy, Bodduluri Venkata Greeshmanth, Krishna Gopal, Ramesh G., Kaur Namita, Kumar L. Raghu
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 430, p 01189 (2023)
In recent years, in consumer electronics, the Health care system is the most important one to evaluate humans' diverse pathological activities. Collaborating with the biomedical field, electronics can find remedial designs for an artificial implant t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/304732e818ef4f81a0805a571bdf9ed0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 21, p 11279 (2022)
This study illustrates a type of novel device. Integrating fin field-effect transistors (FinFETs) with current silicon-on-insulator (SOI) wafers provides an excellent platform to fabricate advanced specific devices. An SOI FinFET device consists of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4e4d72994a754ab5a2b3eeece142e985
Autor:
Jean-Luc Autran, Daniela Munteanu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2023, 70 (5), pp.782-791. ⟨10.1109/TNS.2023.3263106⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2023, 70 (5), pp.782-791. ⟨10.1109/TNS.2023.3263106⟩
International audience; The exponential dependence of the soft-error rate (SER) with critical charge in CMOS circuits, empirically proposed by Hazucha and Svensson, is derived in the framework of the diffusion-collection approach. A full analytical f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9cbeb2a1c2a2533a82552028a61729e2
https://doi.org/10.1109/tns.2023.3263106
https://doi.org/10.1109/tns.2023.3263106
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.