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pro vyhledávání: '"Filmes semicondutores"'
Autor:
Higor Mazza e Silva
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Os filmes finos semicondutores de CIS e CIGS (seletos de cobre, índio e gálio) são opções promissoras para fabricação de dispositivos fotovoltaicos devido à sua estabilidade química e térmica e baixa quantidade de material necessária. Os m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ac3eb7e33e921a67cd6e3866ad9a9e6b
https://doi.org/10.11606/d.75.2022.tde-16112022-172426
https://doi.org/10.11606/d.75.2022.tde-16112022-172426
Autor:
Letícia Gomes de Melo
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
A deposição em regime de subtensão (DRS) permite controlar em nível atômico a quantidade de material usado. Apesar de já destacada a possibilidade de seu uso na dopagem de filmes semicondutores, ainda é pouco utilizada com esse objetivo e nece
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d5ffafb38e7145ad76e9d53751c56f64
https://doi.org/10.11606/d.75.2021.tde-06102021-092529
https://doi.org/10.11606/d.75.2021.tde-06102021-092529
Autor:
Lopes, Karina Carvalho
Neste trabalho, analisamos as propriedades estruturais, morfológicas e óticas de filmes finos de nitreto de índio, depositados em diferentes tipos de substratos (Si, safira-C, safira-A, safira-R, GaN/ safira e vidro) pelo método de deposição a
Publikováno v:
AlephRepositório Institucional da UNESPUniversidade Estadual PaulistaUNESP.
Made available in DSpace on 2016-01-13T13:26:53Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2015-08-03. Added 1 bitstream(s) on 2016-01-13T13:32:05Z : No. of bitstreams: 1 000855125.pdf: 2104677 bytes, checksum: 15bdfea4db1f3d540e6d00dc6077e93a
Autor:
Alves, Marcus Vinícius
Este trabalho teve como objetivo principal o estudo de técnicas de nanofabricação aplicadas a filmes semicondutores do grupo 111-V, crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Padrões, visando o domínio da técnica e a produção de
Orientador: José Humberto Dias da Silva
Banca: Andre Santarosa Ferlauto
Banca: Luis Vicente de Andrade Scalvi
O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as ativid
Banca: Andre Santarosa Ferlauto
Banca: Luis Vicente de Andrade Scalvi
O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as ativid
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11449/132502
Autor:
Jéssica Marcon Bressanin, M. H. M. O. Hamanaka, L. Polli, A. V. Alaferdov, V. N. Hamanak, R. A. Netto, Julio Roberto Bartoli
Publikováno v:
Blucher Chemical Engineering Proceedings.
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFPE
Universidade Federal de Pernambuco (UFPE)
instacron:UFPE
Universidade Federal de Pernambuco (UFPE)
instacron:UFPE
Atualmente diversos tipos de materiais semicondutores são estudados por meio de irradiação para fins de alterar suas propriedades elétricas com propósito de aplicações na indústria e medicina. Filmes de compósitos semicondutores de polietile
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::de406f8195550d3819eb3bd97ab9bb8b
https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/30564
https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/30564
Publikováno v:
Repositório Institucional da UnicampUniversidade Estadual de CampinasUNICAMP.
Orientador: Fernando Iikawa
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Made available in DSpace on 2018-08-02T08:29:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Godoy_MarcioPeronFrancode_M.pdf: 100587
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Made available in DSpace on 2018-08-02T08:29:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Godoy_MarcioPeronFrancode_M.pdf: 100587
Externí odkaz:
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277781