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pro vyhledávání: '"Filmes finos semicondutores"'
Autor:
Moreira, Rodrigo Couto
Publikováno v:
Repositório Institucional da UNIJUIUniversidade Regional do Noroeste do Estado do Rio Grande do SulUNIJUI.
Este trabalho mostra o desenvolvimento de um software, rotulado aqui como SimuPi, para simular o modelamento matemático de elementos sensores piezoresistivos. O programa desenvolvido roda modelos de primeira e segunda ordem, clássicos da literatura
Publikováno v:
Proceeding Series of the Brazilian Society of Computational and Applied Mathematics.
Este trabalho apresenta os estudos teoricos sobre a caracterizacao do efeito piezoresistivo em filmes finos semicondutores atraves do desenvolvimento de modelos matematicos e simulacoes computacionais, visando desenvolver um Ambiente Integrado de Tes
Autor:
Ribeiro, Miguel Bruno Vieira
Publikováno v:
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (RCAAP)
instacron:RCAAP
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (RCAAP)
instacron:RCAAP
Dissertação de mestrado em Física de Materiais Avançados (ramo de conhecimento em Materiais Funcionais para Nano e Microtecnologia)
Neste trabalho foram desenvolvidas várias técnicas de caracterização de filmes finos fotossensíveis e de
Neste trabalho foram desenvolvidas várias técnicas de caracterização de filmes finos fotossensíveis e de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6469b050ab41f6bb7c5e1a248aba4347
Publikováno v:
AlephRepositório Institucional da UNESPUniversidade Estadual PaulistaUNESP.
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Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11449/99682
Autor:
Silva, Marcelo Rodrigues da.
Orientador: Luíz Vicente de Andrade Scalvi
Banca: Valmor Roberto Mastelaro
Banca: Joelma Perez
Banca: Fenelon Martinho Lima Pontes
Banca: Luiz Henrique Dall'Antonia
Os semicondutores BiVO4 e NiO vem sendo bastante estudados
Banca: Valmor Roberto Mastelaro
Banca: Joelma Perez
Banca: Fenelon Martinho Lima Pontes
Banca: Luiz Henrique Dall'Antonia
Os semicondutores BiVO4 e NiO vem sendo bastante estudados
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11449/99682
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 6, Iss, Pp 70-76 (2020)
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
This is a short review about the ion irradiation-induced foams in antimonide films. III–V semiconductors like InSb and GaSb can be transformed into solid foams with nanometric dimensions upon irradiation with swift heavy ions, increasing significan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::25cd3ccff73d1b6508ef10184810d510
https://hdl.handle.net/10419/244008
https://hdl.handle.net/10419/244008
Autor:
Ávila, Tiago Silva de
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
A caracterização do strain (deformação) em estruturas cristalinas em filmes finos semicondutores apresenta importantes aplicações tecnológicas, como por exemplo: a formação de defeitos, modificação da estrutura das bandas de condução e v
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/150057
Autor:
Claudia Schnohr, Mark C Ridgway, Patrick Kluth, Leandro Araujo, Bernt Johannessen, Zohair S. Hussain, Christopher Glover, Kristiaan Temst, Raquel Giulian, André Vantomme, Felipe Kremer, S. Decoster, David J. Sprouster, Hazar A. Salama
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Lift-off protocols for thin films for improved extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements are presented. Using wet chemical etching of the substrate or the interlayer between the thin film and the substrate, stand-alone high-qualit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c590e22643f93aa544b332f2805f1477
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/417348
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/417348
Autor:
Moi, Alberto
Publikováno v:
Repositório Institucional da UNIJUIUniversidade Regional do Noroeste do Estado do Rio Grande do SulUNIJUI.
Este trabalho mostra os estudos teóricos sobre a caracterização do efeito piezoresistivo em filmes finos semicondutores, em especial, o silício tipo P e tipo N. Usa-se modelos matemáticos e simulação computacional, a partir de dados experiment
Autor:
Higor Mazza e Silva
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Os filmes finos semicondutores de CIS e CIGS (seletos de cobre, índio e gálio) são opções promissoras para fabricação de dispositivos fotovoltaicos devido à sua estabilidade química e térmica e baixa quantidade de material necessária. Os m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ac3eb7e33e921a67cd6e3866ad9a9e6b
https://doi.org/10.11606/d.75.2022.tde-16112022-172426
https://doi.org/10.11606/d.75.2022.tde-16112022-172426