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pro vyhledávání: '"Filmes finos dieletricos"'
Autor:
Jonder Morais, F. L. Freire, Silvio R. Dahmen, R.P. Pezzi, Karen Paz Bastos, Gabriel Vieira Soares, L. Miotti, Israel Jacob Rabin Baumvol
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
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We report here on the thermodynamical stability of ultrathin, hafnium-based dielectric films, namely hafnium oxide (HfO2), silicate (HfSixOy), and aluminum silicate (AlHfxSiyOz), deposited on silicon. These materials are promising candidates to repla
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Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria microeletrônica. Hoje
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/98337
Autor:
Corrêa, Silma Alberton
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No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou depositadas por sp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/78482
Autor:
Claudia Schnohr, Mark C Ridgway, Patrick Kluth, Leandro Araujo, Bernt Johannessen, Zohair S. Hussain, Christopher Glover, Kristiaan Temst, Raquel Giulian, André Vantomme, Felipe Kremer, S. Decoster, David J. Sprouster, Hazar A. Salama
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Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
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Lift-off protocols for thin films for improved extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements are presented. Using wet chemical etching of the substrate or the interlayer between the thin film and the substrate, stand-alone high-qualit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c590e22643f93aa544b332f2805f1477
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/417348
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/417348
Autor:
Corrêa, Silma Alberton
Publikováno v:
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Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
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No presente trabalho, foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos em vapor d’água, em óxido nítrico e em hidrogênio nas propriedades físico-químicas e elétricas de filmes dielétricos crescidos termicamente e/ou depositadas por sp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::97b4583499d8cdb2b234d9f4dc1ddae0
Autor:
Rosa, Aline Tais da
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Na presente Dissertação, foram caracterizadas as estruturas dos filmes dielétricos (dióxido de silício) crescidos termicamente sobre carbeto de silício monocristalino (c-SiC) e as interfaces formadas. Através de análises por Espectroscopia de
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/49746
Autor:
Menegotto, Thiago
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Neste trabalho, estudou-se o comportamento da ressonância de plasmon de superfície de camadas de nanopartículas metálicas de prata envoltas por dióxido de silício ou sobre superfícies desse material. Os filmes produzidos tiveram suas proprieda
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/53127
Autor:
Jardim, Pedro Lovato Gomes
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Aplicou-se o método de monitoração óptica para a classe de fluidos não-newtonianos que seguem o modelo de lei de potência durante o processo de recobrimento por spin coating. Esta classe representa o escoamento da maioria das soluções polimé
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/49348
Autor:
Palmieri, Rodrigo
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O carbeto de silício (SiC) apresenta várias propriedades extremamente interessantes para a fabricação de dispositivos eletrônicos submetidos a condições extremas como alta temperatura (300 a 600 °C), alta frequência e alta potência. Além d
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http://hdl.handle.net/10183/18412
Autor:
Corrêa, Silma Alberton, Marmitt, Gabriel Guterres, Bom, Nicolau Molina, Rosa, Aline Tais da, Stedile, Fernanda Chiarello, Radtke, Claudio, Soares, Gabriel Vieira, Baumvol, Israel Jacob Rabin, Krug, Cristiano, Gobbi, Angelo Luiz
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Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
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Experimental evidences of enhanced stability of Al2O3 /SiC structures following thermal annealing are presented. 5- and 40-nm-thick Al2O3 films evaporated on the Si- and C-terminated faces of 4H-SiC were annealed up to 1000 °C in different atmospher
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::b8400d2171d64da93ffbd0344f68c23d