Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Filippone, Stephen A."'
Autor:
Filippone, Stephen, Zhao, Boyang, Niu, Shanyuan, Koocher, Nathan Z., Silevitch, Daniel, Fina, Ignasi, Rondinelli, James M., Ravichandran, Jayakanth, Jaramillo, R.
Publikováno v:
Phys. Rev. Materials 4, 091601 (2020)
There are few known semiconductors exhibiting both strong optical response and large dielectric polarizability. Inorganic materials with large dielectric polarizability tend to be wide-band gap complex oxides. Semiconductors with strong photoresponse
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.10655
Autor:
Jariwala, Deep, Howell, Sarah L., Chen, Kan-Sheng, Kang, Junmo, Sangwan, Vinod K., Filippone, Stephen A., Turrisi, Riccardo, Marks, Tobin J., Lauhon, Lincoln J., Hersam, Mark C.
The recent emergence of a wide variety of two-dimensional (2D) materials has created new opportunities for device concepts and applications. In particular, the availability of semiconducting transition metal dichalcogenides, in addition to semi-metal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.03451
Autor:
Sangwan, Vinod K., Jariwala, Deep, Filippone, Stephen A., Karmel, Hunter J., Johns, James E., Alaboson, Justice M. P., Marks, Tobin J., Lauhon, Lincoln J., Hersam, Mark C.
The full potential of graphene in integrated circuits can only be realized with a reliable ultra-thin high-{\kappa} top-gate dielectric. Here, we report the first statistical analysis of the breakdown characteristics of dielectrics on graphene, which
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1302.2263
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Filippone, Stephen Andrew
Chalcogenide perovskites are both an old and new group of materials. First synthesized in 1957, chalcogenide perovskites are generally sulfur and selenium compounds which contain a 3D network of corner-sharing octahedra. Not until 2015 was this mater
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Research; Nov2021, Vol. 36 Issue 21, p4404-4412, 9p
Publikováno v:
Journal of Materials Research; November 2021, Vol. 36 Issue: 21 p4404-4412, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sangwan, Vinod K., Jariwala, Deep, Filippone, Stephen A., Karmel, Hunter J., Johns, James E., Alaboson, Justice M. P., Marks, Tobin J., Lauhon, Lincoln J., Hersam, Mark C.
The full potential of graphene in integrated circuits can only be realized with a reliable ultra-thin high-�� top-gate dielectric. Here, we report the first statistical analysis of the breakdown characteristics of dielectrics on graphene, which a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c9232adf0f0dbf2f412f3b8fe2327118