Zobrazeno 1 - 10
of 290
pro vyhledávání: '"Filatov, D. O."'
Autor:
Gorshkov, O. N.1 (AUTHOR) gorshkov@nifti.unn.ru, Filatov, D. O.1 (AUTHOR), Koriazhkina, M. N.1 (AUTHOR), Lobanova, V. A.1 (AUTHOR), Riabova, M. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Experimental & Theoretical Physics. Nov2023, Vol. 137 Issue 5, p700-705. 6p.
Autor:
Kusmartsev, F. V., Krevchik, V. D., Semenov, M. B., Filatov, D. O., Shorokhov, A. V., Bukharaev, A. A., Dakhnovsky, Y., Nikolaev, A. V., Pyataev, N. A., Zaytsev, R. V., Krevchik, P. V., Egorov, I. A., Yamamoto, K., Aringazin, A. K.
We observe a series of sharp resonant features in the tunnelling differential conductance of InAs quantum dots. We found that dissipative quantum tunnelling has a strong influence on the operation of nano-devices. Because of such tunnelling the curre
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.00245
Autor:
Krevchik, V. D.1 (AUTHOR), Filatov, D. O.2 (AUTHOR), Semenov, M. B.1 (AUTHOR) Misha29.02.2@gmail.com
Publikováno v:
Technical Physics. Apr2023, Vol. 68 Issue 4, p102-106. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Filatov, D. O.1 (AUTHOR) dmitry_filatov@inbox.ru, Shenina, M. E.1 (AUTHOR), Rozhentsov, I. A.1 (AUTHOR), Koryazhkina, M. N.1 (AUTHOR), Novikov, A. S.1 (AUTHOR), Antonov, I. N.1 (AUTHOR), Ershov, A. V.1 (AUTHOR), Gorshkov, A. P.1 (AUTHOR), Gorshkov, O. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2021, Vol. 55 Issue 9, p731-734. 4p.
Publikováno v:
Technical Physics; Apr2023, Vol. 68 Issue 4, p75-80, 6p
Autor:
Minkov, G. M., Rut, O. E., Germanenko, A. V., Sherstobitov, A. A., Zvonkov, B. N., Filatov, D. O.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 70, 035304 (2004)
The interference induced transverse negative magnetoresistance of GaAs/InGaAs/GaAs quantum well heterostructures has been studied in the presence of strong in-plane magnetic field. It is shown that effect of in-plane magnetic field is determined by t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0311124