Zobrazeno 1 - 10
of 93
pro vyhledávání: '"Filachev, A."'
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 63:1093-1111
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 62:1027-1047
The analytical model of avalanche photodiodes based on the different types of p–n structures is discussed. Formulas for avalanche breakdown voltage V BD and the exponent in Miller’s relation for dependence between the carrier multiplication coeff
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 61:1175-1185
The state-of-the-art of the development of photodetectors and photoreceiving devices operating in the range of electromagnetic radiation 0.1–0.38 μm is presented. A review of the world achievements and tendencies in the development of this field o
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 61:1166-1174
The analysis of the current state of solid photoelectronics for thermal imaging and thermal direction-finding equipment of new generation is performed. The results of the latest development of photoelectronic modules for thermal imaging and thermal d
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 61:352-357
A comparative analysis of the correlators of steady-state thermal and photoinduced stochastic fields (SFs) of concentrations and currents of mobile charge carriers in IR photodiodes and homogeneous semiconductors is presented. It is demonstrated that
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. A. Panov, M. S. Sidorov, T. N. Grishina, A. N. Buzynin, A. M. Filachev, L. A. Kosuhina, T. V. Kiselyov, N. V. Kravchenko, E. E. Lomonova, M. A. Trishenkov
Publikováno v:
Optical Memory and Neural Networks. 18:312-321
Prospects of application of zirconia- and hafhia-based solid solutions for development of new generation of photodetectors are considered. The directions of photoelectronics, in which these materials successfully can become alternative to conventiona
Autor:
V. N. Solyakov, I. D. Burlakov, V. I. Stafeev, K. O. Boltar, V. P. Ponomarenko, Anatoly M. Filachev, E. A. Klimanov
Publikováno v:
Optical Memory and Neural Networks. 16:234-247
The recent researches and technological developments of middle and long wavelength infrared HgCdTe photovoltaic detectors are presented. Structure, topology, design and performance of HgCdTe photodiodes, silicon readout electronics, Focal Plane Array
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.