Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Field-effect heterotransistor"'
Autor:
E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva
In this paper we introduce an approach to model technological process of manufacture of a field-effect heterotransistor. The modeling gives us possibility to optimize the technological process to decrease length of channel by using mechanical stress.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::15ad4050672b406008cba34107e49fa5
Autor:
Pankratov E.L, Bulaeva E.A
We introduce an approach of manufacturing of a field-effect heterotransistor with inhomogenous doping of channel. The inhomogenous distribution of concentration of dopant gives a possibility to change speed of transport of charge carriers and to decr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::903f582381486ef165613c751158293a
https://zenodo.org/record/1473890
https://zenodo.org/record/1473890
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.